Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

A Study on the corrosion property by post treatment in the metal dry etch

Metal 건식각 후처리에 따른 부식 특성에 관한 연구

  • Mun, Seong-Yeol (MagnaChip Semiconductor limited, ISD Device Department 2) ;
  • Kang, Seong-Jun (Dept. of Electrical and semiconductor Engineering, Chonnam National University) ;
  • Joung, Yang-Hee (Dept. of Electrical and semiconductor Engineering, Chonnam National University)
  • 문성열 (매그나칩 반도체 ISD 소자 2팀) ;
  • 강성준 (전남대학교 전기및반도체공학과) ;
  • 정양희 (전남대학교 전기및반도체공학과)
  • Published : 2007.10.26
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Abstract

This study proposes that chlorine residue after metal etch as the source of metal corrosion, and charges should be removed by optimizing etch, PR strip and cleaning condition. Charges distributed along the metal line acts as a source of tungsten (W) plug corrosion when associated with following cleaning solution. In cleaning process after metal etch and PR strip, chemical selection is significantly important in terms of metal corrosion. Optimal corrosion preventive PH, no metal attack (choice of optimal inhibitants), high by product removal efficiency and optimal de ionized water treatment condition is critical to the metal corrosion prevention.

본 연구는 부식을 방지하기 위해서는 metal line식각 후 염소 잔유물 과 plasma charge up을 식각 조건, PR strip조건 및 후속 세정 조건을 최적화함으로써 제거해야 한다고 제안 하였다. Metal line에 다량 분포하는 charge up은 후속 세정의 적정 PH와 만났을 때, 하부 tungsten plug의 부식을 유발 하게 된다. Metal line식각 및 PR strip후 세정에 있어 약액의 종류는 부식에 결정적인 영향을 미친다. Galvanic corrosion을 최소화하기 위한 적정 PH, metal attack을 최소화 할 수 있는 chemistry선택, 높은 식각 부산물 제거 효율의 약액, 최적의 $H_2O$처리 조건 등이 metal부식방지에 있어 결정적인 요소임을 확인하였다.

Keywords