Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Electrical and optical properties of ZnO thin films grown by MOCVD

MOCVD 법으로 성장한 ZnO 박막의 전기적, 광학적 특성 평가

  • Kong, Bo-Hyun (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
  • Kim, Dong-Chan (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
  • Han, Won-Suk (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
  • Kim, Young-Yi (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
  • Ahn, Cheol-Hyoun (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
  • Kang, Si-Woo (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
  • Yi, Yu-Jin (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
  • Cho, Hyung-Koun (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering)
  • 공보현 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 김동찬 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 한원석 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 김영이 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 안철현 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 강시우 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 이유진 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 조형균 (성균관대학교 신소재공학부)
  • Published : 2007.06.21
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Abstract

ZnO는 3.37eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있으며, 60meV의 큰 엑시톤(exciton) 결합에너지의 특성을 가지고 있어 UV 영역의 소스로서 가장 활용도가 클 것으로 예상된다. 특히 ZnO 박막은 청색과 자외선 발광소자 및 광전자 소자, 화학적 센서로 활용이 가능하다. 최근 ZnO 박막을 이용한 LED 및 LD 소자 제작에 대한 연구가 국내외적으로 매우 활발하게 이루어지고 있다. 이런 소자를 제작할 때 가장 우선시 되는 것이 ZnO 박막의 전기적은 특성(캐리어 밀도, 전도도, 이동도, 비저항)이다. ZnO 박막을 성장하는 방법으로는 sputtering, PLD, MOCVD, sol-gel 법 등 여러방법이 있지만, MOCVD 법은 소스인 DEZn 와 산소의 유량이 조절이 가능하여 박막의 특성 다양하게 변화시킬 수 있는 장정이 있다. 본 연구에서는 MOCVD 법을 이용하여 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장 시켰다. 성장 시 VI족 소스인 산소가스와 II족 소스인 DEZn 양을 조절함으로써 이때 변화되는 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성에 대해 연구하였다.

Keywords