Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.06a
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- Pages.19-19
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- 2007
Electric characteristics of poly-Si TFT using High-k Gate-dielectric and excimer laser annealing
Excimer laser annealing에 의한 결정화 및 High-k Gate-dielectric을 사용한 poly-Si TFT의 특성
- Lee, Woo-Hyun (Kwangwoon University) ;
- Koo, Hyun-Mo (Kwangwoon University) ;
- Oh, Soon-Young (ETRI) ;
- Ahn, Chang-Geun (ETRI) ;
- Jung, Jong-Wan (Sejong University) ;
- Cho, Won-Ju (Kwangwoon University)
- 이우현 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 구현모 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 오순영 (한국전자통신연구원) ;
- 안창근 (한국전자통신연구원) ;
- 정종완 (세종대학교) ;
- 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
- Published : 2007.06.21
Abstract
Excimer laser annealing (ELA) 방법을 이용하여 결정화하고 게이트 절연체로써 high-k 물질을 가지는 다결정 실리콘박막 트랜지스터의 전기적 특성을 평가하였다. 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터 보다 높은 전계 효과 이동도와 운전 용이한 장점을 가진다. 기존의 결정화 방법으로는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 높은 열 공급을 피할 수 없기 때문에, 매몰 산화막 위의 비결정질 박막은 저온에서 다결정 실리콘 결정화를 위해 KrF excimer laser (248nm)를 이용하여 가열 냉각 공정을 했다. 게다가 케이트 절연체로써 atomic layer deposition (ALD) 방법에 의해 저온에서 20 nm의 고 유전율을 가지는