Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Study on Etch Characteristics of BTO Thin Film by using $Cl_2$/Ar Inductively Coupled Plasma

$Cl_2$/Ar ICP 플라즈마를 이용한 BTO박막의 식각 특성 연구

  • Kim, Man-Su (Dept. of Control and Instrumentation Engineering, Korea University) ;
  • Min, Nam-Ki (Dept. of Control and Instrumentation Engineering, Korea University) ;
  • Lee, Hyun-Woo (Dept. of Computer and Applied Physics, Hanseo University) ;
  • Choi, Bok-Gil (Div. of Electrical & Electronic Engineering, Kongju National University) ;
  • Kwon, Kwang-Ho (Dept. of Control and Instrumentation Engineering, Korea University)
  • 김만수 (고려대학교 제어계측공학과) ;
  • 민남기 (고려대학교 제어계측공학과) ;
  • 이현우 (한서대학교 컴퓨터응용물리학과) ;
  • 최복길 (공주대학교 전기전자제어공학부) ;
  • 권광호 (고려대학교 제어계측공학과)
  • Published : 2007.11.01
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Abstract

본 연구에서는 MIM (Metal-Insulator-Metal) capacitor의 유전 물질로 사용되는 $Ba_xTi_yO_z$(BTO) 박막의 식각 특성을 고찰하였다. $Cl_2$/Ar 혼합가스를 이용하여 Inductively Coupled Plasma(ICP)에서 BTO 박막을 식각하였고, 식각된 BTO박막의 표면을 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 분석하였다. BTO박막의 식각 속도는 Ar이 80%인 식각 조건에서 31.7nm/min의 식각 속도를 추출하였고, 동시에 Pt박막에 대한 높은 선택비를 얻었다. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석 결과로부터 표면 반응을 조사하여, 식각 기구를 고찰하였다.

Keywords