한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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- Pages.132-133
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- 2006
PRAM을 위한 $(GeTe)_x(Sb_2Te_3)$ 박막의 XPS, EXAFS, XRD 분석
XPS, EXAFS, XRD Analysis of $(GeTe)_x(Sb_2Te_3)$ Thin Films for PRAM
- Lim, Woo-Sik (Chonnam National University) ;
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Kim, Jun-Hyung
(Chonnam National University) ;
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Yeo, Jong-Bin
(Chonnam National University) ;
- Lee, Eun-Sun (Chonnam National University) ;
- Cho, Sung-June (Chonnam National University) ;
- Lee, Hyun-Yong (Chonnam National University)
- 발행 : 2006.06.22
초록
PRAM (phase-change random access memory)은 전류 펄스 인가에 따른 기록매질의 비정질-결정질 간 상변화와 그에 동반되는 저항변화를 이용하는 차세대 비휘발성 메모리 소자로서 연구되어지고 있다. 본 논문에서는