Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2005.07a
- /
- Pages.649-650
- /
- 2005
Electro-chemical Mechanical deposition for the planarization of Cu film
Cu 배선의 평탄화를 위한 ECMD에 관한 연구
- Jeong, Suk-Hoon (Department of Mechanical & Precision Engineering in PNU) ;
-
Seo, Heon-Duk
(Department of Mechanical & Precision Engineering in PNU)
;
-
Park, Boum-Young
(Department of Mechanical & Precision Engineering in PNU)
;
-
Lee, Hyun-Seop
(Department of Mechanical & Precision Engineering in PNU)
;
- Jung, Jae-Woo (Department of Mechanical & Precision Engineering in PNU) ;
- Park, Jae-Hong (Department of Mechanical & Precision Engineering in PNU) ;
-
Jeong, Hae-Do
(School of Mechanical Engineering in PNU)
- 정석훈 (부산대학교 정밀기계공학과) ;
-
서헌덕
(부산대학교 정밀기계공학과)
;
-
박범영
(부산대학교 정밀기계공학과)
;
-
이현섭
(부산대학교 정밀기계공학과)
;
- 정재우 (부산대학교 정밀기계공학과) ;
- 박재홍 (부산대학교 정밀기계공학과) ;
-
정해도
(부산대학교 기계공학부)
- Published : 2005.07.07
Abstract
반도체는 고집적화, 고속도화, 저전력화를 목적으로 발전하고 있다. 이를 위하여 design rule의 감소, 새로운 물질과 프로세스의 적용 등 많은 연구가 이루어지고 있으며, RC delay time을 줄이기 위한 Cu 와 저유전율 재료의 적용이 그 대표적인 예라 할 수 있다. Cu 배선은 기존의 Al 배선에 비하여 높은 전자이동 (electro-migration)과 응력 이동 (stress-migration) 저항을 가짐으로써 전기적인 성능 (electrical performance) 에서 이점을 가지고 있다. 반도체에서의 Cu 배선 구조는 평탄화된 표면 및 배선들 사이에서의 좋은 전기적인 절연성을 가져야 하며, 이는 디싱(dishing)과 에로젼(erosion)의 중요한 인자가 된다. 기존의 평탄화 공정인 Cu CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 있어서 이러한 디싱, 에로전과 같은 결함은 선결되어져야 할 문제로 인식되고 있다. 따라서 본 연구에서는 이러한 결합들을 감소시키기 위한 새로운 평탄화 방법으로 Cu gap-filling 을 하는 동시에 평탄화된 표면을 이루는 ECMD(Electro-Chemical Mechanical Deposition) 공정의 전기적 기계적 특성을 파악하였다.