한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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- Pages.95-96
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- 2005
비휘발성 메모리 소자 응용을 위한 블록 공중합체를 이용한 실리콘 나노 구조 제작
Fabrication of the Silicon Nano Structure applicable to Non-volatile Memory Device using Block Copolymer
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정성욱
(성균관대학교)
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- 김현민 (성균관대학교) ;
- 박대호 (포항공과대학교) ;
- 손병혁 (서울대학교) ;
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정진철
(포항공과대학교)
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진왕철
(포항공과대학교)
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이준신
(성균관대학교)
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Jung, Sung-Wook
(SungKyunKwan University)
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- Kim, Hyun-Min (SungKyunKwan University) ;
- Park, Dae-Ho (Pohang University of Science and Technology) ;
- Sohn, Byeong-Hyeok (Seoul National University) ;
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Jung, Jin-Chul
(Pohang University of Science and Technology)
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Zin, Wang-Cheol
(Pohang University of Science and Technology)
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- Parm, I.O. (SungKyunKwan University) ;
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Yi, Jun-Sin
(SungKyunKwan University)
- 발행 : 2005.07.07
초록
나노 구조 제작을 위한 다양한 시도 중 블록 공중합체를 이용한 방법은 현재 활발한 연구가 진행되고 있는 분야이다. 본 연구에서는 비휘발성 메모리 소자의 용량 증가를 위하여 블록 공중합체 박막을 나노 마스크로 이용하고, 평행판헝 반응관 내에서 반응성 이온 에칭을 사용하여 나노 구조의 표면을 제작하였다. 에칭동안에 나노 마스크로서 사용할 블록 공중합체 박막은 PS-b-PMMA를 이용하여 제작하였고, UV를 주사하여 PMMA를 제거하고 수직적인 나노 흩을 구성하여 나노 패터닝이 가능하도록 하였다. 실험을 통하여 매우 균일한 나노 바늘 형태의 구조를 생성할 수 있으며, 반응기체와 유량의 조절을 통하여 다양한 표면 구조를 확인할 수 있었다. 블록 공중합체는 나노 마스크로서 뛰어난 기능을 나타내며, 이를 이용하여 나노 사이즈의 패터닝이 가능하고, 표면적 증가를 통하여 비휘발성 메모리 소자의 용량 증가에 기여할 수 있다.