Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Ion energy distributions in $BCl_3/Ar$ etching plasma

$BCl_3/Ar$ 식각 플라즈마에서의 이온 에너지 분포

  • Kim, Gwan-Ha (ChungAng University, School of Electrical and Electronics Engineering) ;
  • Kim, Chang-Il (ChungAng University, School of Electrical and Electronics Engineering)
  • 김관하 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
  • Published : 2005.11.04
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Abstract

QMS를 이용하여 chlorine based 유도결합 플라즈마 내 이온의 거동에 대한 분석을 하였다. 플라즈마 진단 가스로는 AT 가스에 $BCl_3$을 첨가하였으며 공정 압력을 변화하며 플라즈마 특성 변화를 분석하였다. 가스 혼합비에 따른 이온의 상대적인 밀도 변화에서 소량의 Ar가스의 첨가는 $BCl_3$ 가스의 이온화를 도와 $Cl^+$ 이온이 증가하는 현상을 보이며 Ar과 $BCl_3$의 이온화 에너지의 차이로 인해 $BCl_3$ 가스의 첨가비가 적을 수록, RF Power가 증가하며, 공정 압력이 낮올 수록 이중 피크 구조의 이온 에너지 분포를 확인 할 수 있었으며 이는 이온이 접지 전극에의 도달 시간과 평균 플라즈마 전위의 변화 때문이라고 사료된다.

Keywords