한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology)

한국반도체디스플레이기술학회 (The Korean Society Of Semiconductor & Display Technology)
권호 표지

Co-interlayer와 $SiO_2$ 상부막의 유무에 따른 Nickel Germanosilicide의 열안정성 연구

  • 조유정 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ;
  • 한길진 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ;
  • 오순영 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 김용진 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 이원재 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 이희덕 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2005.05.01
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초록

Co-interlayer와 $SiO_2$ 상부막이 nickel germanosilicide 박막의 열안정성에 미치는 영향을 연구하였다. Nickel germanosilicide는 SiGe 기판 위에 Ni(8nm)/TiN(25nm), Ni(6m)/Co(2nm)/TiN(25nm)을 증착하여 각각 one step RIP($500^{\circ}C$)와 two step RTP(500. $700^{\circ}C$)로 형성되었다. 50과 10nm 두께의 $SiO_2$ 박막을 실리사이드 위에 증착하고, 550, 600, $650^{\circ}C$에서 30분간 열처리한 후 면저항 값을 측정하여 열안정성을 평가하였다.

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