한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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- Pages.155-158
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- 2004
$C_2F_6$ 유도 결합 플라즈마를 이용한 질산화막 식각공정에 관한 연구
A study on etching of SiON films using $C_2F_6$ inductively coupled plasma
- Lee, Duk-Woo (Sejong University, Electronic Engineering) ;
- Kim, Byung-Whan (Sejong University, Electronic Engineering) ;
- Lee, Byung-Taek (Chonnam National University, Materials Science Engineering)
- 발행 : 2004.11.11
초록
질산화 (SiON) 막은 메모리와 광통신 소자 제조를 위해 활발한 응용이 기대되는 중요한 재료이다. SiON막 증착특성에 관해서는 많은 연구보고가 있었으나, 식각특성에 대해서는 그 발표가 매우 미미하다. 이에 본 연구에서는 PECVD를 이용하여 증착한 SION 박막을 Ni 마스크를 이용하여 식각하였다. 공정변수에는 소스 전력, 바이어스 전력, 압력, 그리고