Field effect and temperature dependence on the conductance of the carbon nanotube network

홑겹 탄소 나노튜브 네트워크의 게이트 의존성과 온도 의존성

  • Oh, Dong-Jin (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Won, Boo-Ne (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kim, Kang-Hyun (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kang, Hae-Yong (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kim, Hye-Young (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kim, Gyu-Tae (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.)
  • 오동진 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 원부운 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김강현 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 강해용 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김혜영 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김규태 (고려대학교 전기공학과)
  • Published : 2004.11.11

Abstract

Back gate가 있는 $SiO_2$ 기판에 SWCNT(Single Walled Carbon Nanotube) 분산액을 도포하여 SWCNT 네트워크를 형성하였다. 금선을 shadow mask로 사용하여 $10{\mu}m$ 간격의 2단자 금 전극을 열 증착을 통해 형성하였다. 현미경 포토리소그래피를 통하여 시료의 가장자리를 Photoresist로 남겨두어 시료 가장자리의 나노튜브를 통한 단락을 방지하였다. 전류-전압 특성, 게이트 특성과 온도 의존성은 DAQ(Data Aquisition) 보드와 Keithley 2400을 사용하여 측정하였고, Labview 기반 프로그램을 통해 제어하였다. 음의 게이트 전압에서의 저항 감소를 관측함으로써 네트워크 상태에서의 게이트 의존성이 P 형 반도체 성질을 보여줌을 알 수 있었으며, 온도가 올라감에 따라 저항이 지수 함수적으로 증가하는 것으로부터 네트워크의 온도 의존성이 금속성 온도 의존성을 가지는 것을 확인하였다.

Keywords