Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

A Study on the Removal of LPP CMP Induced Defect

LPP(Landing Plug Poly) CMP Induced Defect 제거에 관한 연구

  • 오평원 (메모리 연구소, 하이닉스 반도체) ;
  • 최재건 (메모리 연구소, 하이닉스 반도체) ;
  • 최용수 (메모리 연구소, 하이닉스 반도체) ;
  • 최근민 (메모리 연구소, 하이닉스 반도체) ;
  • 송용욱 (메모리 연구소, 하이닉스 반도체)
  • Published : 2004.07.05
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Abstract

본 연구는 반도체소자 제조공정에 적용되는 CMP공정 중 LPP(Landing Plug Poly) Contact간의 소자 분리를 위해 진행되는 LPP CMP의 후 세정 과정에서 유발되는 방사형 Defect 제거에 관한 내용이다. 방사형 Defect은 LPP CMP 후에 노출되는 BPSG, Poly, Nitride Film과 연마재로 사용되는SiO2 입자, 후 세정과정에서 적용되는 SC-1, DHF, $NH_4OH$ Chemical과 Brush와의 상호작용에 의해 발생되며, Cleaning시의 산성 분위기 하에서 각 물질간의 pH와 Zeta Potential의 차이에서 기인한다. 이 Defect을 제거하기 위해 LPP CMP후에 Film 표면에 노출되는 각 물질의 표면 특성과 CMP 후 오염입자의 흡착과 재 흡착에 영향을 미치는 Electrostatic force와 Van der Waals force, PVA Brush에 의한 Mechanical force의 상호작용을 고려하여 최적 후 세정 조건을 제시 하였다.

Keywords