Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Microwave Dielectric Properties of $BaTi_4O_9$ Thin Film

$BaTi_4O_9$ 박막의 고주파 유전특성

  • Lee, Suk-Jin (Department of Material Science and Engineering, Korea Uni.) ;
  • Jang, Bo-Yun (Department of Material Science and Engineering, Korea Uni.) ;
  • Jung, Young-Hun (Department of Material Science and Engineering, Korea Uni.) ;
  • Nahm, Sahn (Department of Material Science and Engineering, Korea Uni.)
  • 이석진 (고려대학교, 재료공학과) ;
  • 장보윤 (고려대학교, 재료공학과) ;
  • 정영훈 (고려대학교, 재료공학과) ;
  • 남산 (고려대학교, 재료공학과)
  • Published : 2004.07.05
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Abstract

[ $BaTi_4O_9$ ]계 유전체 박막을 Si 기판위에 RF Sputtering으로 성장시켜 유전체 박막의 두께 변화에 따른 마이크로파 대역에서 유전체 박막의 유전율 및 유전손실을 측정하였다. 유전체 박막의 두께가 증가함에 따라 유전율은 약간 증가하였으며 마이크로파 대역에서 벌크 유전체와 같은 38의 유전율 값을 얻을 수 있었다. 또한 probe와 상두 전극사이의 접촉 저항을 고려한 값들을 보정함으로서 6GHz의 주파수 대역까지 $BaTi_4O_9$ 박막의 유전손실 값을 안정적으로 측정한 수 있었으며 유전체 박막의 두께가 증가함에 따라 최대 0.0001의 양호한 유전손실 값을 얻을 수 있었다.

Keywords