Design of a 1V 5.25GHz SiGe Low Noise Amplifier

1V 5.25GHz SiGe 저잡음 증폭기 설계

This paper describes the design of a two stage 1V power supply SiGe Low Noise Amplifier operating at 5.25 GHa for 802.lla wireless LAN application. The achieved performance includes a gain of 17 ㏈, noise figure of 2.7㏈, reflection coefficient of 15 ㏈, IIP3 of -5 ㏈m, and 1-㏈ compression point of -14㏈m. The total power consumption of the circuit was 7 mW including 0.5mW for the bias circuit.

본 논문은 802.113 무선 근거리 통신망 (wireless LAN)용 5.25GHz SiGe 저잡음 증폭기 (LNA)의 설계에 대해 다루고 있다. 이러한 저잡음 증폭기는 2단 구조를 가지고, 1V의 공급전압에서 동작하며, 0.18$\mu\textrm{m}$ SiGe 공정으로 제작되어 있다. 이는 5.25GHz의 동작주파수에서 17㏈의 전압이득, 2.7㏈의 잡음지수, -l5㏈의 반사계수, -5㏈m의 IIP3 및 -14㏈m의 1㏈ compression point와 같은 우수한 동작특성을 보였다. 바이어스 회로에서 소모되는 0.5mW를 포함하여 전체회로에서 소모되는 총전력은 7mW였다.