Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Breakdown characteristics of the SOI LIGBT with dual-epi layer

이중 에피층을 가지는 SOI LIGBT의 에피층 두께에 따른 항복전압 특성 분석

  • Kim, Hyoung-Woo (Power Semiconductor Group, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Kim, Sang-Cheol (Power Semiconductor Group, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Seo, Kil-Soo (Power Semiconductor Group, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Bahng, Wook (Power Semiconductor Group, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Kim, Nam-Kyun (Power Semiconductor Group, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Kim, Eun-Dong (Power Semiconductor Group, Korea Electrotechnology Research Institute)
  • 김형우 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 김상철 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 서길수 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 방욱 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 김남균 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹) ;
  • 김은동 (한국전기연구원 전력반도체연구그룹)
  • Published : 2004.07.14
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Abstract

이중 에피층 구조를 가지는 SOI(Silicon-On-Insulator) LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor)의 에피층 두께 변화에 따른 항복전압 특성을 분석하였다. 제안된 소자는 전하보상효과를 얻기 위해 n/p-epi의 이중 에피층 구조를 사용하였으며, 에피층 전체에 걸쳐서 전류가 흐를 수 있도록 하기 위해 trenched anode구조를 채택하였다. 본 논문에서는 n/p-epi층의 농도를 고정시킨 후 각각의 epi층의 두께를 변화시켜가며 simulation을 수행하였을 때 항복전압의 변화 및 표면과 epi층에서의 전계분포변화를 분석하였다.

Keywords