Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Characteristics of Hydrogenated Amoruhous Carbon (a-C:H) Thin Films Grown by Close Field UnBalanced Magnetron Sputtering method

비대칭 마그네트론 스퍼터링법으로 성장된 a-C:H 의 물리적 특성

  • Park, Yong-Seob (School of Information and communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Myung, Hyun-Sik (Center for Advenced Plasma Surface Technology (CAPST), Sungkyunkwan University) ;
  • Han, Jeon-Geon (Center for Advenced Plasma Surface Technology (CAPST), Sungkyunkwan University) ;
  • Hong, Byung-You (School of Information and communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 박용섭 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 명현식 (플라즈마 응용 표면기술 연구센타) ;
  • 한전건 (플라즈마 응용 표면기술 연구센타) ;
  • 홍병유 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2003.07.10
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Abstract

비대칭 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 실리콘 기판위에 hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) 박막을 성장시켰다. DC Power 와 $Ar/C_2H_2$ 의 분압을 변화시켜 증착조건을 형성하고 성장된 다이아몬드상 카본박막의 물성을 관찰하였다. DC 전압에 따라 증착율과 표면 거칠기는 감소하는 한편 박막의 경도는 증가한다. 또한 $Ar/C_2H_2$의 분압이 낮을 때 박막의 특성을 보여주는 G 피크가 낮은 wavenumber로 이동하는 것을 알 수 있다.

Keywords