한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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- Pages.267-269
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- 2003
4탐침 측정기술이 비저항 측정 정밀 정확도에 미치는 영향
The Effects of the Four Point Probe Measurement Technique on the Precision and Accuracy in Electrical Resistivity Measurements.
- Kang, Jeon-Hong (KRISS) ;
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Yu, Kwang-Min
(KRISS) ;
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Kim, Han-Jun
(KRISS) ;
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Han, Sang-Ok
(Chungnam Univ.) ;
- Kim, Jong-Suk (Hanbat Univ.)
- 발행 : 2003.07.10
초록
반도체 웨이퍼 및 각종 박막의 면/비저항(sheet/resistivity resistance)의 측정에 비교적 간단히 측정할 수 있고 측정정확도가 높은 4탐침(four-point probe)방법이 널리 사용되고 있다 또한 4탐침 측정방법은 높은 분해능의 contour map작성과 ion implantation의 doping accuracy 및 doping uniformity의 측정에도 사용된다. 최근 재료의 소형, 박막화 경향으로 볼 때 정확한 비저항 측정의 필요성이 요구되고 있으며 이에 따라 4탐침 측정기술인 single 및 dual configuration method로 실리콘 웨이퍼에 대한 비저항의 측정 정확도를 고찰한 결과 dual configuration 측정방법이 single configuration측정 방법에 비하여 정밀 정확도가 더 좋은 것으로 고찰되었다.