대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석

The Reliability analysis on the High Temperature Characteristics of SOI-LDMOSFET Having Various Drift Region Length

  • 김재석 (서강대학교 전자공학과) ;
  • 구용서 (서경대학교 전자공학과) ;
  • 구진근 (한국 전자통신 연구소) ;
  • 안철 (서강대학교 전자공학과)
  • 발행 : 2003.07.01
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초록

This paper show the measured result of electrical characteristics of SOI-LDMOSFET that is one of the high voltage devises. Especially, we observed changes of breakdown voltage, threshold voltage, on-resistance, drain current, and transconductance in accordance with drift length, main parameter of LDMOSFET. Also, we achieved reliability analysis about device operation in high temperature environment because LDMOS is applied to smart power IC.

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