Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Electron Emission Characteristic of Porous Poly-Silicon Emitter as a Oxidation process

산화공정에 따른 Porous Poly-Silicon Emitter의 방출특성 조사

  • 제병길 (경북대학교 전자 □ 전기 공학부) ;
  • 배성찬 (경북대학교 전자 □ 전기 공학부) ;
  • 최시영 (경북대학교 전자 □ 전기 공학부)
  • Published : 2003.07.01
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Abstract

본 논문에서는 Porous poly-silicon cold cathode에 의해 전자를 방출하는 Ballistic electron surface-emitting display(BSD)의 전계방출 특성을 실험했다. BSD는 nanocrystalline을 둘러싼 산화막을 multi-tunneling한 전자에 의해 발광이 되는 mechanism이기 때문에 산화막의 두께를 변수로 두어 특성을 실험했다. 900℃에서 1시간에서 3시간까지 30분 간격으로산화 반응을 진행하였으며, leakage current와 emission current의 비로 효율을 나타내었을 때 1시간 30분 동안 산화 반응을 한 시료가 가장 좋은 특성을 나타내었다.

Keywords