Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Junction Defects of Self-Aligned, Excimer Laser Annealed Poly-Si TFTs

엑시머 레이저광의 회절에 의한 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 접합부 결함 생성

  • Kang, Su-Hyuk (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Park, Kee-Chan (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Lee, Min-Cheol (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
  • 강수혁 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
  • 박기찬 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
  • 이민철 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부 전기재료 및 소자 실험실) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부 전기재료 및 소자 실험실)
  • Published : 2002.11.09
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

엑시머 레이저를 이용한 저온($450^{\circ}C$ 이하) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작 시, 소오스/드레인 이온 주입에 의한 실리콘 박막의 격자 손상은 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing; ELA) 방법으로 치유한다. 그러나 게이트 전극 모서리에서의 레이저광 회절 현상으로 인해 소오스/드레인 접합부에 도달하는 레이저 에너지 밀도가 감소하여 다량의 결정 결함이 치유되지 못한 채 남게 된다. 이러한 결정 결함은 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 저하시키는 요인이 된다. 새롭게 제안한 사선 입사 엑시머 레이저 어닐링(Oblique Incidence Excimer Laser Annealing; OI-ELA) 방법으로 소오스/드레인 접합부의 결정 결함을 제거하고 다결정 박막 트랜지스터의 특성을 향상시켰다.

Keywords