Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

$Al_2O_3$ films coated on ZnO nanowires by ALD method

ALD방법으로 ZnO 나노와이어에 코팅된 $Al_2O_3$ 박막

  • Hwang, Joo-Won (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Keem, Ki-Hyun (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Kang, Myung-Il (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Lee, Jong-Su (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Min, Byung-Don (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Sang-Sig (Department of Electrical Engineering, Korea University)
  • Published : 2002.11.09
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Abstract

ZnO 나노와이어는 ZnO 파우더를 볼밀 처리하여 열증착 방법으로 $1380^{\circ}C$에서 촉매없이 Si 기판위에서 합성되었다. 합성된 ZnO 나노와이어의 길이와 직경은 $20{\sim}30{\mu}m$와 $50{\sim}200$ nm 였다. ZnO 나노와이어 표면을 atomic layer deposition(ALD) 방법으로 $Al_2O_3$ 박막을 얇게 코팅하였다. 성장온도는 $300^{\circ}C$였고, 사용한 전구체는 Trimethlaluminum(TMA)와 distilled water($H_2O$) 이다. Transmission electron microscopy(TEM) 으로 측정한 $Al_2O_3$ 박막의 두께는 40 nm 로서 매우 균일하게 ZnO 나노와이어에 증착되었음을 알 수 있었다.

Keywords