n형 4H-SiC의 Cu/Si/Cu 오옴성 접합

Cu/Si/Cu Ohmic contacts to n-type 4H-SiC

n형 SiC를 이용한 오옴성 접합을 알아보고자 Cu/Si/Cu 형태의 접합실험을 실시하였다. 오옴성 접합의 형성을 위하여 Cu/Si/Cu를 증착 하고 열처리를 시행하였다. 열처리는 RTP를 이용한 진공상태의 2-step 방법으로 시행하였다. 접합에 계산을 위하여 TLM구조로, 면 저항(Rs), 접촉저항(Rc), 이동거리(L$_{T}$), 패드간거리(d), 저항(R$_{T}$)값을 구하면 접합비 저항(Pc) 값을 알 수 있다. 이로 인한 결과 값은 접촉저항 값은 2$\Omega$이었고, 이동간 거리는 1$\mu\textrm{m}$이었으며 접합비저항($\rho$c)=1.0x$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ 값을 얻을 수 있었다. 물리적 변화를 AES 및 XRD를 이용하여 알아보았다. SiC 계면 상에 Cu의 변화로 인한 silicide형성이 이루어짐을 알 수 있었다.있었다.

Characteristics of Cu/Si/Cu ohmic contacts to n-type 4H-SiC were investigated systematically. The ohmic contacts were formed by rf sputtering of multi layer Cu/Si/Cu sputtered sequentially. The annealings were peformed With 2-Step using RTP in vacuum ambient. The specific contact resistivity($\rho$c), sheet resistance(Rs), contact resistance(Rc), transfer length(L$_{T}$) were calculated from resistance(R$_{T}$) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. Best results were obtained for a sample annealed at vacuum as $\rho$c = 1.0x10$^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$, Rc = 2$\Omega$ and L$_{T}$ = 1${\mu}{\textrm}{m}$. The physical properties of contacts were examined using XRO and AES. The results showed that copper silicide was formed on SiC and Cu was migrated into SiC.o SiC.