한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집 (Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference)

한국마이크로전자및패키징학회 (The Korean Microelectronics and Packaging Society)
권호 표지

전해도금을 이용한 Ni계 UBM 및 Sn-Ag 솔더 범프 형성방법

Fabrication Method of Ni Based Under Bump Metallurgy and Sn-Ag Solder Bump by Electroplating

  • 김종연 (한국과학기술원 재료공학과 전자패키지재료연구센터) ;
  • 김수현 (한국과학기술원 재료공학과 전자패키지재료연구센터) ;
  • 유진 (한국과학기술원 재료공학과 전자패키지재료연구센터)
  • 발행 : 2002.11.01
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초록

본 연구에서는 전해도금법을 이용하여 플립칩용 Ni, Ni-Cu 합금 UBM (Under Bump Metallurgy) 및 Sn-Ag 무연 솔더 범프를 형성하였다. 솔더 범프의 전해도금시 고속도금 방법으로 균일한 범프 높이를 갖도록 하는 도금 조건 및 도금 기판의 역할로서의 UBM의 영향을 조사하였다. Cu/Ni-Cu 합금/Cu UBM을 적용한 경우 음극시편의 전극 접점수를 증가시켰을 때 비교적 균일한 솔더 범프를 형성시킬 수 있었던 반면, Ni UBM의 경우는 접점수를 증가시켜도 다소 불균일한 솔더 범프를 형성하였다. 리플로 시간을 변화하여 범프 전단 강도 및 파단 특성을 조사하였는데 Ni UBM의 경우 Cu/Ni-Cu 합금/Cu UBM에 비해 전단강도가 다소 낮은 값을 가졌고 금속막이 웨이퍼에서 분리되는 파괴 거동이 관찰되었다.

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