The effect of ICP $O_2$ oxidation and $N_2O$ oxynitridation on the electrical property of gate insulator

게이트 절연막의 전기적 특성에 미치는 유도결합$O_2$ 플라즈마 산화와 $N_2O$ 플라즈마 oxynitridation 효과

  • 김보현 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 안병태 (한국과학기술원 재료공학과)
  • Published : 2002.05.01