Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Annealing Effect on the Photoluminescence of Si Nanocrystalites Thin Films

후열처리에 따른 실리콘 나노결정 박막의 광학적 특성 변화 연구

  • Jeon, Kyung-Ah (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) ;
  • Kim, Jong-Hoon (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) ;
  • Lee, Sang-Yeol (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University)
  • 전경아 (연세대학교 전기전자공학과) ;
  • 김종훈 (연세대학교 전기전자공학과) ;
  • 이상렬 (연세대학교 전기전자공학과)
  • Published : 2001.11.03
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Abstract

실리콘 나노결정 박막은 Nd:YAG 레이저를 사용한 펄스레이저 증착법으로 p형 (100) 실리콘 기판위에 형성되였다. 증착 후, 다양한 분위기 가스와 $400^{\circ}C$에서 $800^{\circ}C$까지 범위의 여러 온도에서 후열 처리가 수행되었다. 후열 처리가 끝난 시료 중 일부는 혼합가스(95 % $N_2$ + 5 % $H_2$)에서 한시간 동안 수소 passivation을 수행하였다. 실온에서 강한 청자색 photoluminescence (PL)을 관찰할 수 있었다. 이 논문에서 우리는 다양한 후열처리 조건과 수소 passivation 효과에 따른 PL 특성 변화를 제시하고, 이 결과를 통해 실리콘 나노결정 박막의 발광 메카니즘을 간접적으로 유추하였다.

Keywords