Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Investigation of Pt/Ti, Ni/Ti Diffusion Barrier Characteristics on Copper in DRAM Technology

DRAM 기술에서 구리에 대한 Pt/Ti, Ni/Ti의 확산 방지막 특성에 관한 연구

  • Noh, Young-Rae (Dept. of Electronic Engineering, Chungwoon University) ;
  • Kim, Youn-Jang (Dept. of Electrical and Computer Engineering Division, POSTECH) ;
  • Chang, Sung-Keun (Dept. of Electronic Engineering, Chungwoon University)
  • Published : 2001.11.03
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Abstract

차세대 고속 DRAM기술에 사용될 금속인 Cu의 확산 방지막(diffusion harrier) 물질로는 Ta 또는 W 같은 Refractory metal 이 융점(melting point)이 높고 저항값이 낮아 많이 연구 보고되고 있으나, 본 논문에서는 초고주파 소자에서 Au의 확산 방지 막으로 많이 사용되고 있으며. 선택적 증착이 용이한 Pt과 Ni를 MOS 소자의 Cu 확산 방지 막으로 적용하며 어닐링한 후 소자의 게이트 산화막 누설전류($I_{leak}$), 그리고. Si/$SiO_2$ 계면의 trap density 등의 변이를 측정하여 Cu가 소자의 특성 열화에 미치는 영향을 연구하였다. 실험 결과 Pt/Ti($200{\AA}/100{\AA}$)를 적용한 경우 소자 측성 열화가 가장 적었으며. 이는 Copper의 확산 방지막으로 Pt/Ti를 사용하여 전기적 특성 및 계면 특성을 개선시킬 수 있음을 보여 주었다. 이는 SIMS Profile을 통해서도 확인하였다.

Keywords