대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

동작 영역이 향상된 composite 트랜지스터의 설계

Design of composite transistor with improved operation region

  • 손병길 (전북대학교 전기공학과) ;
  • 유영규 (전북대학교 전기공학과) ;
  • 최석우 (전북대학교 전기전자회로합성연구소) ;
  • 김동용 (전북대학교 전기공학과)
  • 발행 : 1999.06.01
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초록

본 논문에서는 넓은 동작 영역을 갖는 composite 트랜지스터를 설계하였다. 제안된 composite 트랜지스터는 p-형 차동쌍(p-type differential pair)을 이용하여 문턱전압이 음(-)의 값을 갖도록 설계하였고, 수학적인 해석을 통해 증명하였다. 음의 문턱전압으로 동작 영 역을 향상되었고 SPICE 시뮬레이션을 이용하여 제안된 composite 트랜지스터가 기존의 composite 트랜지스터보다 넓은 동작 영역을 가짐을 보였다. 제안된 composite 트랜지스터는 0.6㎛ CMOS n-well 공정 파라미터를 이용하여 3V에서 시뮬레이션 하였다.

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