A Study on the Etch Rate of SiO$_2$in Dilute HF Solution added with IPA, Surfactant and $H_2$$O_2$

희석된 HF 수용액과 IPA, 계면활성제, $H_2$$O_2$를 첨가한 혼합액의 실리콘 산화막 식각속도에 대한 연구

  • 김상용 (한양대학교 금속재료공학과) ;
  • 엄대홍 (한양대학교 금속재료공학과) ;
  • 박진구 (한양대학교 금속재료공학과)
  • Published : 1999.11.01