Effects of DX-centers and surface states in AlGaAs/InGaAs PHEMT on the electrical characteristics

AlGaAs/InGaAs PHEMT에서 DX-center 및 표면 결함이 전기적 특성에 미치는 영향

  • 최경진 (포항공과대학교 재료금속공학과) ;
  • 이종람 (포항공과대학교 재료금속공학과)
  • Published : 1999.11.01