The effect of oxygen in RF PACVD diamond thin film

고주파 플라즈마 CVD 다이아몬드 박막의 합성시 첨가된 산소의 효과

  • 김대일 (인하대학교 전기공학과) ;
  • 이상희 (인하대학교 전기공학과) ;
  • 이병수 (인하대학교 전기공학과) ;
  • 박종관 (유한대학 정보통신과) ;
  • 박상현 (경남대학교 전기공학과) ;
  • 김보열 (인하공업전문대학 전기과) ;
  • 우호환 (인하공업전문대학 전기과) ;
  • 이덕출 (인하대학교 전기공학과)
  • Published : 1998.11.28

Abstract

Synthetic diamond films were deposited on pretreated silicon substrate in activated gas phase using RF plasma-assisted CVD. We investigated the influence of $O_2$ gas on facets of diamond crystal. In $H_2-CH_4-O_2$ gas mixture, the increase of oxygen concentration lead to well-faceted diamond particles and increasing crystallinity of diamond films. The deposited diamond films were analyzed by SEM, XRD, Raman spectroscopy.

Keywords