고주파여기 MOVPE법으로 성장한 사파이어 기판위의 InN단 결정의 특성

A Study of InN single crystalline films on sapphire substrates by microwave-excited MOVPE

  • 권혁주 (경북대학교 전자공학과) ;
  • 이용현 (경북대학교 전자공학과) ;
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  • 三木修 (日本 豊橋技術科學大學) ;
  • 山野博文 (日本 豊橋技術科學大學) ;
  • 吉田明 (日本 豊橋技術科學大學)
  • 발행 : 1996.05.01