Composition in the (Znl-xNix)2TiO4+ yTiO2 system (x=0-0.5, y=0-0.35) were synthesized via the solid-state reaction route. The incorporation of titanium, in the form of TiO2, in (Znl-xNix)2TiO4 spinel ceramics were investigated by analyzing the crystal structure and measuring the dielectric properties. The result of the crystal structure analysis suggested that TiO2 level of 0.01 y 0.33 could be incorporated into the (Znl-xNix)2TiO4 spinel. The change of incorporated TiO2 level is related with Co-content as a inverse proportion and the variation of lattice parameter and dielectric properties were supported the result.
In this study, we tried to find out the appropriate synthetic condition and magnetic properties of Ni-Zn ferrite {(NixZn1-x)Fe2O4} powders (where X=0, 0.1, 0.2, 0.3, ……0.9, 1). Ferrite powders were prepared by wet-direct method at 86℃ for 6hrs from FeCl36H2O, NiCl26H2O, and ZnCl2. The powders of (NixZn1-x)Fe2O4 (where X=0.4, 0.5, 0.6) have a good crystallinity, but the other ferrite powders consist of crystal and precursor ferrite. The ferrite powder's lattice constant is increased when ratio of ZnO contant is increased in the ferrite composition. And initial permeability was measured after sintering, result indicated regular pattern except (Ni0.4Zn0.6)Fe2O4 when the frequency were changed 10KHz to 10MHz.
Flue gases in the iron foundry consist of 15~20% CO2 as an air pollution gas whose emission should be mitigated in order to protect the environment. In the present study, ultrafine powders of NixZn1-xFe2O4 as a potential catalyst for the CO2 decomposition were prepared by the coprecipitation methods. Oxygen deficient ferrites (MeFe2O4-$\delta$) can decompose CO2 as C and O2 at a low temperature of about 30$0^{\circ}C$. The XRD result of synthesized ferrites showed the spinel structure of ferrites and ICP-AES and EDS quantitative analyses showed the composition similar with initial molar ratios of the mixed solution prior to reaction. The BET surface area of the (Ni, Zn)-ferrites was about 77~89.5$m^2$/g and their particle size was observed about 10~20 nm. The CO2 decomposition efficiency of the oxygen deficient (Nix, Zn1-x)-ferrites was the highest at x=0.3, and the ternary (Ni, Zn)-ferrites was better than that of binary Ni-ferrites.
한국항해항만학회 1996년도 The Korean Institute of Navigation 1996년도 한·중 국제학술 심포지움 및 추계학술발표회 논문집
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pp.111-116
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1996
To realize the RF layer of Rubber Ferrite-Air-Solid Ferrite(RF-A-F) that proposed by Y.Naito it is tried to grasp the formulation of composition by varying the ratio of mole and element of Complex Isotropic Ferrite Nix-A0.1-Zn(1-x-0.1)*Fe2O4 As a result it was found that the characteristics of the electromagnetic wave absorber constructed by the selected formulation of compositionin in RF-A-F type were improved.
페라이트 도금 방법은 진공이 불필요하며 저온(<10$0^{\circ}C$)에서 페라이트 박막을 제작할 수 있다. 이 방법으로 기판온도 8$0^{\circ}C$, 산화용액의 pH 7.1~8.8 영역에서 모두 스피넬 구조의 NixFe3-xO4 (x=0.162~0.138) 박막을 얻었다. 이들은 열처리를 하지 않았음에도 불구하고 결정성이 우수한 다결정의 박막을 얻었다. 박막의 성장속도는 산화용액의 pH가 7.1에서 8.8까지 변함에 따라 성장속도가 143$\AA$/min에서 255 $\AA$/min 까지 증가하였다. 산화용액의 pH가 증가할수록 입경의 크기가 증가하고, 보자력은 감소하였다.
The X-ray diffraction pattern, electrical resistance, density and critical temperature of a series of YBa2(Cu3-xNix)O7-\ulcornersamples (0\ulcorner\ulcorner.5) were investigated with the increase of the Ni content. The samples show a principal 1.2.3-like phase with well resolved orthorhombic peaks. The final pattern of the x=0.1 sample appears to be well reacted orthorhombic YBa2(Cu,Ni)3O7-\ulcornerwith minor impurities and an appreciable amorphous fraction. From the above results, we conclude that Ni does not play an important role for the superconductivity in the Y-Ba-Cu-O system.
A complete solid solution (SrLaAl1-xNixO4) between insulating SrLaAlO4 and metallic SrLaNi(Ⅲ)O4 oxides were prepared under high oxygen pressure (1.5 kbar, 800 ℃). They have tetragonal K2NiF4-type structure in all the solid solution range. Compared with lattice parameters of the same solid solution prepared under normal condition (1 bar, 1200 ℃), large decrease in the c-parameter was induced by high pressure treatment while no noticeable variation of the a-parameter was observed. Although marked changes of structural parameters, magnetic susceptibilities, and electron paramagnetic resonance spectra were consistently occurred before and after x=0.5, overall behaviors were essentially the same with those of solid solution prepared under normal condition. Such a phenomenon is explained by assuming the formation of partially filled narrow σ*x2-y2 band for x>0.5. Lattice contraction along the c-axis by high pressure treatment seems not to broaden this band. Particularly, the continuous absorption characteristic of a high free carrier concentration for x>0.5 and the absence of Ni-O in-plane stretching mode in the infrared absorption spectra supports this picture. However, the conductivities increasing with temperature for all solid solution suggest that some localization character, of probably Anderson type, remains for x>0.5.
코발트 니켈 합금형 실리사이드 공정에서 단결정실리콘과 다결정실리콘 기판에 자연산화막이 있는 경우 나노급 두께의 코발트 니켈 합금 금속을 증착하고 실리사이드화하는 경우의 반응 안정성을 확인하였다. 4인치 P-type(100)Si 기판 전면에 poly silicon을 입힌 기판과 single silicon 상태의 두 종류 기판을 준비하고 두께 4 nm의 자연산화막이 있는 상태에서 10 nm 코발트 니켈 합금을 니켈의 상대조성을 $10{\sim}90%$로 달리하며 열증착하였다. 통상의 600, 700, 800, 900, 1000, $1100^{\circ}C$ 각 온도에서 실리사이드화 열처리를 시행 후 잔류 합금층을 제거하고, XRD(X-ray diffraction)및 FE-SEM(Field emission scanning electron microscopy), AES(Auger electron spectroscopy)를 사용하여 실리사이드가 생겼는지 확인하였다. 마이크로라만 분석기로 실리사이드 반응시의 실리콘 층의 잔류 스트레스도 확인하였다. 자연산화막이 존재하는 경우 실리사이드 반응이 진행되지 않았고, 폴리실리콘 기판과 고온에서는 금속과 산화층의 반응잔류물이 생성되었다. 단결정 기판의 고온열처리에서는 실리사이드 반응이 없더라도 핀홀이 발생할 수 있는 정도의 열스트레스가 존재하였다. 코발트 니켈 복합실리사이드 공정에서는 자연산화막을 제거하는 공정이 필수적이었다.
The stochiometric nix of evaporating materials for the $AgInS_2$ single crystal thin films were prepared from horizontal furnace. The polycrystal structure obtaind from the power x-ray diffraction was chalcopyrite. The lattice costants $a_0\;and\;c_0$ were $a_0=5.86(5.82)\;A,\;c_0=11.355(11.17)\;A$. To obtains the single crystal thin films, $AgInS_2$ mixed crystal were deposited on throughly etched GaAs(100) by the Hot Wall Epitaxy(HWE) system. The temperates of the source and the substrate were $590^{\circ}C\;and\;450^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the double crystal X-ray diffraction(DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of van der Pauw and studied on carrier density and mobility dependence on temperature. In order to explore the applicability as a photoconductive cell, we measured the sensitivity($\gamma$), the ratio of photocurrent to dark current (pc/dc), maximum allowable power dissipation(MAPD), spectral response and response time.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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