• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.21-22
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• 2006

Abstract should be written in English using Times New Roman 9pt. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.545-546
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• 2006

Abstract should be written in English using Times New Roman 9pt. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here. Write English abstract here.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.626-628
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• 2001

고 기록 밀도의 HDD를 위해서는 HDD Media의 선 기록 밀도와 트랙 밀도를 높여야 한다. 선기록 밀도를 높이기 위해서는 HDD Write Head의 Field Gradient가 커야하고, 트랙 밀도를 높이기 위해서는 Write Head의 Aspect Ratio가 작아져야 한다. 본 연구에서는 3차원 유한 요소법을 이용하여 Write Head의 재료의 자기적 성질과 형상에 따른 고 기록 밀도용 Pole Tip Write Head를 설계하였다.

• 디지털콘텐츠학회 논문지
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• 제14권2호
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• pp.215-222
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• 2013

낸드 플래시 기반 SSD는 HDD와 비교하여 많은 장점을 가지고 있다. 하지만 임의 접근 쓰기 요청은 임의 접근 읽기 요청이나 연속 접급 쓰기와 읽기에 비하여 SSD의 접근성을 떨어뜨리고 수명을 단축시키는 문제점을 발생시킨다. 이런 문제점을 해결하기위해 SSD 내부에서는 낸드 플래시 메모리의 일부분을 로그 블록으로 관리하는 기법과 DRAM 혹은 비휘발성 메모리를 쓰기 버퍼로 관리하는 기법들이 제안되었다. 하지만 지금까지 로그 블록 관리와 쓰기 버퍼 관리는 다른 계층에서 연구되어왔다. 즉 로그블록 관리는 쓰기 버퍼의 상태를 고려하지 않았고 또한 쓰기 버퍼 관리 기법도 로그 블록의 상태를 고려하지 않았다. 본 논문에서는 처음으로 로그 블록과 쓰기 버퍼 사이의 관련성을 통해 두 계층의 통합관리의 필요성을 제시한다. 그리고 통합된 쓰기 버퍼 설계를 위해 세 가지 고려해야할 사항을 제공한다.

• 융합보안논문지
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• 제18권5_2호
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• pp.73-82
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• 2018

본 연구는 전문대학 부사관과의 학생들의 의사소통 능력을 향상시키기 위해 읽기-쓰기 연계 교육방안을 고찰하였다. 읽기-쓰기 연계 교육은 읽기 능력과 쓰기 능력의 동시에 향상시킨다. 이에 부사관과의 읽기-쓰기 연계 교육 모형을 '읽기-쓰기-첨삭'으로 구성하고 이에 적합한 실행방안을 도모하였다. 구체적인 실행은 보고서를 중심으로 읽기-쓰기 연계를 실습하는 것이다. 이는 읽기에서 메모 및 요약 틀을 제시하여 작성하고 쓰기에서 읽기의 메모 및 요약 틀을 적용하여 보고서를 작성하는 것이다. 첨삭은 교수자가 읽기-쓰기의 전 과정에서 검토하는 것이다. 보고서를 활용한 부사관과의 읽기-쓰기 방안은 부사관에게 필요한 보고서 양식을 활용한다는 점에서 앞으로의 업무와 관련된 의사소통 능력을 향상시킨다는 장점이 있다. 끝으로 향후 연구를 위한 제언을 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2017년도 추계학술대회
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• pp.107-110
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• 2017

여러 연구에 따르면 임베디드 디바이스에서 프로세서 및 네트워크의 속도는 사용자의 요구사항을 충족시킬 만큼 빠른데 반해 IO 속도가 성능의 주요 병목으로 밝혀진 바 있다. 또한 이런 IO 병목 현상의 70% 이상이 SQLite 데이터베이스와 관련된 현상으로 밝혀졌다. 이를 해결하기 위한 SQLite 성능 최적화 관련 연구들은 쓰기 IO에 최적화된 저널 방식인 WAL 방식 중심의 연구들이 다수를 이루고 있다. 본 논문에서는 Android와 Tizen에서 주로 사용되는 Rollback 저널 방식 환경 하에서 성능 문제 해결을 위한 SQLite Atomic Write 기법을 제안한다. 제안한 기법을 통해 파일 쓰기, 동기화 작업을 줄임으로써 쓰기 성능(300%)과 메모리 사용량(80%)이 향상 된 것을 확인할 수 있었고 JOJ(저널링 파일에 대한 저널링) 현상을 막고 플래시 메모리의 수명을 늘릴 수 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권2호
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• pp.184-188
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• 2014

There is a trade-off between read stability and writability under a full-/half-select condition in static random access memory (SRAM). Another trade-off in the minimum operating voltage between the read and write operation also exists. A new peripheral circuit for SRAM arrays, called a variation sensor, is demonstrated here to balance the read/write margins (i.e., to optimize the read/write trade-off) as well as to lower the minimum operation voltage for both read and write operations. A test chip is fabricated using an industrial 45-nm bulk complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process to demonstrate the operation of the variation sensor. With the variation sensor, the word-line voltage is optimized to minimize the trade-off between read stability and writability ($V_{WL,OPT}=1.055V$) as well as to lower the minimum operating voltage for the read and write operations simultaneously ($V_{MIN,READ}=0.58V$, $V_{MIN,WRITE}=0.82V$ for supply voltage $(V_{DD})=1.1V$).

• International journal of advanced smart convergence
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• 제12권1호
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• pp.70-75
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• 2023

With the recent proliferation of memory-intensive workloads such as deep learning, analyzing memory access characteristics for efficient memory management is becoming increasingly important. Since read and write operations in memory access have different characteristics, an efficient memory management policy should take into accountthe characteristics of thesetwo operationsseparately. Although some previous studies have considered the different characteristics of reads and writes, they require a modified hardware architecture supporting read bits and write bits. Unlike previous approaches, we propose a software-based management policy under the existing memory architecture for considering read/write characteristics. The proposed policy logically partitions memory space into the read/write area and the write area by making use of reference bits and dirty bits provided in modern paging systems. Simulation experiments with memory access traces show that our approach performs better than the CLOCK algorithm by 23% on average, and the effect is similar to the previous policy with hardware support.

• International journal of advanced smart convergence
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• 제12권4호
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• pp.164-170
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• 2023

With the recent advances in AI (artificial intelligence) and HPC (high-performance computing) technologies, deep learning is proliferated in various domains of the 4th industrial revolution. As the workload volume of deep learning increasingly grows, analyzing the memory reference characteristics becomes important. In this article, we analyze the memory reference traces of deep learning workloads in comparison with traditional workloads specially focusing on read and write operations. Based on our analysis, we observe some unique characteristics of deep learning memory references that are quite different from traditional workloads. First, when comparing instruction and data references, instruction reference accounts for a little portion in deep learning workloads. Second, when comparing read and write, write reference accounts for a majority of memory references, which is also different from traditional workloads. Third, although write references are dominant, it exhibits low reference skewness compared to traditional workloads. Specifically, the skew factor of write references is small compared to traditional workloads. We expect that the analysis performed in this article will be helpful in efficiently designing memory management systems for deep learning workloads.

• Journal of Computing Science and Engineering
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• 제8권3호
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• pp.157-172
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• 2014

Contemporary embedded systems often use NAND flash memory instead of hard disks as their swap space of virtual memory. Since the read/write characteristics of NAND flash memory are very different from those of hard disks, an efficient page replacement algorithm is needed for this environment. Our analysis shows that temporal locality is dominant in virtual memory references but that is not the case for write references, when the read and write references are monitored separately. Based on this observation, we present a new page replacement algorithm that uses different strategies for read and write operations in predicting the re-reference likelihood of pages. For read operations, only temporal locality is used; but for write operations, both write frequency and temporal locality are used. The algorithm logically partitions the memory space into read and write areas to keep track of their reference patterns precisely, and then dynamically adjusts their size based on their reference patterns and I/O costs. Without requiring any external parameter to tune, the proposed algorithm outperforms CLOCK, CAR, and CFLRU by 20%-66%. It also supports optimized implementations for virtual memory systems.