Three-dimensional monte carlo simulation and mask effect of low-energy boron ion implantation into <100>single-crystal silicon (<100>방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.32A no.8
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- pp.94-106
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- 1995