There are several factors causing re-work in CMP process such as improper polish time calculation by operator. removal rate decline of the polisher, unstable in-suit pad conditioning, slurry supply module problem and wafer carrier rotation inconsistancy. And conclusively those fundimental reason for the re-work rate increasement is mainly from the cycle time delay between wafer polish and post measurement. Therefore, Wafer thickness measurement in wet condition could be able to remove those improper process conditions which may happen during the process in comparison with the conventional dried wafer measurement system and it can be able to reduce the CMP process cycle time. CMP scrap reduction by overpolish, re-work rate reduction, thickness control efficiency also can be easily achieved. CMP Equipment manufacturer also trying to develop integrated system which has multi-head & platen, cleaner, pre & post thickness measure and even control the polish time from the calculated removal rate of each polishing head by software. CMP re-work problem such as over & under polish by target thickness may result in the cycle time delay. By reducing those inefficient factors during the process and establish of the automatic process control, CLC system need to be adopted to maximize the process performance. Wafer to Wafer Polish Time Feed Back Control by measuring the wafer right after the polish shorten the polish time calculation for the next wafer and it lead to the perfact Post CMP target thickness control capability. By Monitoring all of the processed the wafer, CMP process will also be stabilize itself.
There are several factors causing re-work in CMP process such as improper polish time calculation by operator, removal rate decline of the polisher, unstable in-suit pad conditioning, slurry supply module problem and wafer carrier rotation inconsistency. And conclusively those fundimental reason for the re-work rate increasement is mainly from the cycle time delay between wafer polish and post measurement. Therefore, Wafer thickness measurement in wet condition could be able to remove those improper process conditions which may happen during the process in comparison with the conventional dried wafer measurement system and it can be able to reduce the CMP process cycle time. CMP scrap reduction by overpolish, re-work rate reduction, thickness control efficiency also can be easily achieved. CMP Equipment manufacturer also trying to develop integrated system which has multi-head & platen, cleaner, pre & post thickness measure and even control the polish time from the calculated removal rate of each polishing head by software. CMP re-work problem such as over & under polish by target thickness may result in the cycle time delay. By reducing those inefficient factors during the process and establish of the automatic process control, CLC system need to be adopted to maximize the process performance. Wafer to Wafer Polish Time Feed Back Control by measuring the wafer right after the polish shorten the polish time calculation for the next wafer and it lead to the perfect Post CMP target thickness control capability. By Monitoring all of the processed the wafer, CMP process will also be stabilize itself.
고체산화물 연료전지(SOFC)에서 사용되는 연결재의 주 기능은 각 단위 셀의 연료극과 다음 셀의 공기극을 전기적으로 연결하여, 공기와 사용연료의 분리역할을 하기 위하여 사용된다. SOFC용 연결재는 다른 구성요소 소재보다, 높은 전자 전도성, 낮은 이온전도성, 우수한 기계 적강도가 요구되며, SOFC는 고온에서 작동되기 때문에, 상온에서 작동온도까지 다른 요소 소재들과 유사한 열팽창계수와 물리, 화학적으로 안정성이 요구된다. 현재 연결재 제조기술은 EVD, CVD, plasma spraying, tape casting 등 다양하게 연구되고 있으며, 본 연구는 세라믹 연결재 증착방법 중 저렴한 비용으로 대량 생산이 용이한 습식법(dip coaling)을 적용하여, 연료극 지지체식 flat-tube형 고체산화물 연료전지의 지지체를 위해 세라믹 연결재를 제조하고, 그 특성을 연구하였다. 세라믹 연결재로써 선정한 합성조성은 LaCr $O_3$에 Ca이 치환 고용된 L $a_{0.6}$C $a_{0.41}$Cr $O_3$으로 pechini법으로 합성하였다. 합성된 조성은 100$0^{\circ}C$에서 5시간 하소후 가속 Ball Milling하여 0.5$\mu\textrm{m}$의 평균입자크기를 얻을 수 있었다. XRD 상분석결과 perovskite상 (L $a_{1-x}$ Ca/x/Cr $O_3$)과 CaCr $O_4$를 얻을 수 있었다. slurry를 제조하여 막의 밀착성을 증진시키기 위해 sand blasting시킨 flat tube지지체에 진공펌프를 이용하여 소재내부와 외부의 압력차로 dip coating한 후, 140$0^{\circ}C$로 소결 하였다. coating 결과 박리현상은 없었으나, 표면과 단면의 SEM분석결과 다소 porous한 박막층이 형성되었으며, Ca이온이 지지체로 permeation되는 현상이 발생하였다. 이와 같은 결과로부터 보다 치밀한 박막생성을 위해, slurry 제조조건을 변화시켰으며, Ca이온의 migration을 막기 위해 barrier layer를 이용하였다 완전 소결된 지지체는 가스투과도와 전기전도도측정을 통하여 특성을 평가하였다.였다.다.
초음파 해쇄, 침강 분리 및 원심 분리 등의 물리적 처리 기술을 적용하여 감포 13호 및 35호 광구의 벤토나이트 원광석으로부터 몬모릴로나이트를 선택적으로 회수할 수 있는 습식 고순도화 공정 특성을 연구 개발하였다. 초음파를 이용한 해쇄는 슬러리의 농도가 7 wt.%인 경우 우수한 해쇄 결과를 나타냈으며 감포 13호의 경우는 30분, 감포 35호의 경우는 10분 이내에 대부분의 해쇄가 종료되었다. 30분간 침강 분리를 행한 결과 감포 13호은 원광의 약 52 wt.%, 감포 35호는 약 64wt.%를 정제된 산물로 회수하였으며, CEC는 각각 119.4, 124.5 meq/100 g이었다. 원심 분리를 이용한 입자 분리 결과, 원심 분리기의 회전수 1,000 rpm 이내에서 석영, 장석 등 대부분의 불순 광물들이 분리 제거되었다.
본 연구는 인산부생석고를 결정성장시켜 고순도의 결정질 이수석고를 제조하여 다용도의 석고를 얻고자 하였다. $99^{\circ}C$의 수중에서 약 2시간 동안에 이수석고는 $\alpha$형의 반수석고로 탈수가 완료되었다. 수중탈수된 반수석고를 매정제 $Na_2SO_4$를 10wt%, 슬러리 농도는 20%, pH가 $5{\sim}6$, 결정성장온도 $65^{\circ}C$의 조건에서 4시간 동안 결정성장 시키면 장경이 $200{\mu}m$정도인 결정을 얻을 수 있었다. 결정성장이 끝난 슬러리를 325#로 습식사분하여 사상산물로 고순도 결정성장 석고를 얻었으며, 이 때 석고의 회수율은 약 93.9%, 순도는 99% 정도 였다.
It is highlighted that increasing the adsorbent surface area on volumetric basis is very important in providing an easy access for gas molecules. Fine particles around $3{\mu}m$ of soft-burned dolomite kiln dust (SB-DKD) were hydrated to wet slurry samples by ball mill process and then placed in a chamber to use spray dryer method. Spherical granules with particle size distribution of $50{\sim}60{\mu}m$ were prepared under the experimental condition with or without addition of a pore-forming agent. The relationship between bead size of the pore-forming agent and size of SB-DKD particles is the most significant factor in preparation of spherical granules with a high porosity. Whereas addition of smaller beads than SB-DKD resulted in almost no change in the surface porosity of spherical granules, addition of larger beads than SB-DKD contributed to obtaining of the particles with both 15 times larger average pore volume and 1 order of magnitude larger porosity. It is considered that spherical granules with improved $N_2$ gas adsorption ability may also be utilized for other atmospheric gas adsorption.
비정질 규소가 결정질로 되기 위해서는 활성화가 필요하다. 이 활성화는 레이저 및 로내에서의 열처리로 열에너지를 가하면 달성될 수 있다. 이때 이 열에너지 외에 기계적 에너지 등을 가하면 활성화에 도움이 될 수 있을 것이다. 본 연구에서는 습식연마와 자기이온주입 등의 방법으로 기계적 손상을 주어서 이것이 LPCVD로 증착된 비정질 규소 박막의 결정화에 미치는 영향을 조사하였다. 결정성 확인을 위해서는 XRD와 라만분석법을 사용하였다. 본 연구의 결과, 기계적 손상이 비정질 규소 박막의 결정화를 증진시키는 것을 확인하였다.
Electrical energy is used for heating and cooling because electric cars do not have engines and cooling water. The downside is that when the heating and cooling system is applied to electric vehicles, about 40 percent of the energy is spent on heating and cooling, which is less efficient in winter. This has increased demand for electric vehicle battery efficiency. In this study, the condensation and dispersion of carbon nanotubes were controlled, and carbon fibers and composite slurry were manufactured without binders to manufacture paper. Manufactured by content showed the highest heat generation characteristic at 143℃ with a carbon fiber content ratio of 20wt% and confirmed that the heat temperature rises with increasing pressure. The plane heaters made through this study can be applied to a variety of products other than electric vehicles because they can be simplified by process and high temperature.
이수석고 상태로 존재하는 인산부생석고를 ${\beta}$형 반수석고가 되도록 탈수한 다음 급격히 수화시켜 석고성분 만을 미립의 침상결정이 되도록 하여 불순물과 분리하는 공정과 여기서 회수된 침상의 이수석고 슬러리에 무수황산나트륨 ($Na_2SO_4$)을 첨가하여 용해시키고 적당한 조건에서 탈수와 결정성장 조작을 행하여 고순도 이수석고 결정을 회수하는 공정을 제안하였다. 본 고에서는 상온에서의 미립 이수석고의 결정성장속도, 전체 공정 단계별 수용액 내 $Ca^{2+}$의 농도 변화, 결정질 석고의 입도와 회수율에 미치는 수중탈수 시간, 결정성장 온도, 강온속도의 영향에 대하여 조사하였다.
본 연구에서는 습식분쇄, 분무건조 및 열처리 공정을 통해 알루미늄 및 마그네슘이 치환된 구형의 스피넬계 $Li_{1.10}Mn_{1.86}Al_{0.02}Mg_{0.02}O_4$ 양극재료를 합성하였다. 이때 공정변수로는 전구체를 만드는 분무건조공정에서 고형분(20~30 wt%)을, 열처리 공정에서는 산소분위기 유무를 변수로 하였다. 제조된 모든 양극재료는 상온에서 매우 우수한 전지특성을 보여주었으나, 출력특성에 있어서는 5C 방전곡선이 기준이 되는 0.1C 방전곡선 대비 서로 상이한 거동을 보임을 확인하였다. 이러한 고출력 거동의 차이는 첫째, 충방전 곡선상에서 3.3 V(vs. $Li/Li^+$) plateau 구간의 반응 용량 측정을 통해 양극재료의 산소결함 수준의 차이로 인한 것임을 확인하였다. 공기분위기에서 제조한 양극재료는 산소분위기에서 제조한 것에 비해 두 배 이상의 plateau 거동을 보이고 있으며, 이러한 현상으로부터 제조된 양극재료의 산소결함 정도와 방전초기 과전압 정도는 상관관계가 있음을 확인할 수 있었다. 둘째로는 임피던스 측정을 통해 산출된 확산계수로부터 고형분이 상대적으로 낮은 상태에서 제조된 양극재료가 그렇지 않은 양극재료에 비해 상대적으로 절반 이하 낮은 값을 가지고 있음을 알 수 있었다. 또한 입자 내부 형상 분석을 통한 내부 치밀도 및 임피던스 분석을 통한 확산속도의 차이를 확인함으로써, 방전 말단의 과전압 거동은 입자 내부의 리튬이온 확산속도와 관련이 있음을 확인하였다. 확산계수는 고형분이 상대적으로 낮은 20 wt% 상태에서 제조된 양극재료의 경우가 가장 낮으며, 이는 동일 양극재료의 내부 공극률이 가장 높은 결과와 부합하는 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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