Tungsten (W) thin film was deposited at $400^{\circ}C$ using pulsed chemical vapor deposition (pulsed CVD); film was then evaluated as a nucleation layer for W-plug deposition at the contact, with an ultrahigh aspect ratio of about 14~15 (top opening diameter: 240~250 nm, bottom diameter: 98~100 nm) for dynamic random access memory. The deposition stage of pulsed CVD has four steps resulting in one deposition cycle: (1) Reaction of $WF_6$ with $SiH_4$. (2) Inert gas purge. (3) $SiH_4$ exposure without $WF_6$ supply. (4) Inert gas purge while conventional CVD consists of the continuous reaction of $WF_6$ and $SiH_4$. The pulsed CVD-W film showed better conformality at contacts compared to that of conventional CVD-W nucleation layer. It was found that resistivities of films deposited by pulsed CVD were closely related with the phases formed and with the microstructure, as characterized by the grain size. A lower contact resistance was obtained by using pulsed CVD-W film as a nucleation layer compared to that of the conventional CVD-W nucleation layer, even though the former has a higher resistivity (${\sim}100{\mu}{\Omega}-cm$) than that of the latter (${\sim}25{\mu}{\Omega}-cm$). The plan-view scanning electron microscopy images after focused ion beam milling showed that the lower contact resistance of the pulsed CVD-W based W-plug fill scheme was mainly due to its better plug filling capability.
The purpose of this investigation is to establish which consequence is happen about initial curing concrete's compressive strength of 7days, 28days which changes W/C ratio by the change of vibrating speed and vibrated time. An experimental parameter is fixed 4 degrees of W/C ratio(45%, 50%, 55%, 60%), 3 degrees of vibrated time(3hr, 6hr, 12hr) and different vibrating speed(0.25kine, 0.5kine, 1kine). As the result, compressive strength of 7days was increased when vibrating speed and vibrated time is 1kine, 12h and also compressive strength of 28days was increased when vibrating speed and vibrated time is 0.25kine and 3hr.
본 연구에서는 합성가스의 에너지화를 위한 가스엔진 성능 평가를 수행하였다. 회전수 1800 rpm 조건에서 공기과잉률이 1, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4, 1.5, 1.6 증가에 따른 엔진출력(kWm)과 열효율(%)을 평가한 결과, 공기과잉률 λ 1.4에서 엔진출력 34 kWm를 나타냈으며, 공기과잉률이 증가할수록 엔진 열효율은 전반적으로 감소하는 경향을 보였다. 엔진출력 34 kWm 조건에서 공기과잉률이 1, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 증가시 열효율이 34.2%, 36.9%, 37.2%, 37.4%, 38.1%로 증가하였고, 발전출력을 통한 종합효율은 발전출력 30 kWe 부하조건에서 38.7 kg/h의 연료를 소모하여 32.1%의 발전효율과 냉각수와 배기가스에서의 열회수를 통해 57.3 kW의 폐열을 회수하여 53.8%의 열을 회수하여 총 85.8%의 종합효율을 보이는 것으로 나타났다.
본 논문에서는 주파수 조정의 상세 계획에 적용할 목적으로 M/W 중계망의 보호비 유도를 새로이 제안하였으며, 실제 시스템 및 주파수에 대해 동일 및 인접 채널 보호비의 계산 결과를 제시하였다. 가용율 예측에 근거한 제시된 방법은 합성 페이드 마진, 간섭-대-잡음의 비(I/N), 통합 필터 변별도, 시스템 변수로 나타낸 것이다. 계산 결과에 의하면 6.7 GHz, 60 km, 64-QAM, I/N=-6 dB, $BER=10^{-6}$에서 합성 페이드 마진 및 동일 채널 보호비는 각각 25.5 및 50.7 dB을 갖는다. 또한 40 MHz 인접 채널에 대해 통합 필터 변별도 및 인접 채널 보호비는 26.3 및 24.4 dB을 얻는다. 제안된 방법은 M/W 중계망의 보호비 도출에 있어 보다 상세하고 다양한 장치의 변수를 고려한 확장의 용이성 및 실용성 측면에서 이점을 갖는다.
침지온도 $20^{\circ}C$에서 침지 후 30분에서 35분 사이에 대부분의 품종이 평형에 도달했으며, 평형수분 함량은 0.3247~0.3577(g $H_2O/g$ dry matter)로 나타났다. 초기 수분흡수 속도에서는 품종간에 차이를 나타내었으며, 특히 낙동벼의 경우 0.123g $H_2O$/$min^{1/2}$로 가장 높은 값을 나타냈다. 취반 후 밥의 수분 함량은 가수율에 따라 증가하였으며, 가수율이 1.3에서 1.6(v/w)으로 증가함에 따라서 밥의 수분 함량은 품종에 따라 약 6.0~7.0%증가하였다 가수율에 따른 취반 후 밥의 경도는 가수율이 증가할수록 감소하는 경향이었으며 끈기와 끈기대 경도의 비는 대체적으로 증가하였다.
본 연구에서는 인지질계 양쪽성 계면활성제 CDP-W 첨가가 지질 소포체 막과의 상호 작용에 미치는 영향에 관하여 살펴보았다. 이를 위하여 CDP-W 양쪽성 계면활성제와 레시틴 S100-3의 임계 마이셀 농도 및 표면장력 등의 계면 물성을 측정하였다. 또한 pH 변화에 따른 1 wt% 계면활성제 수용액의 제타 전위 측정을 통하여 양쪽성 계면활성제 CDP-W가 양이온 계면활성제에서 음이온 계면활성제로 작용이 전환되는 등전점을 결정하였으며, 이 결과를 바탕으로 pH 변화 및 CDP-W 첨가가 리포좀의 평균 입자 크기, 다분산 지수 및 제타 전위 등과 같은 안정성에 미치는 영향에 살펴보았다. 또한 가장 안정한 상태의 리포좀이 형성되는 pH 6의 조건에서 CDP-W 첨가에 따른 리포좀 막의 형광 이방성, 변형성, 녹는 점 측정 등을 통하여 리포좀 막의 유동성 특성을 측정하고 리포좀 막의 유동성이 포집효율 및 안정성에 미치는 영향에 관하여 살펴보았다.
We perform the physical analysis such that Si/W composition ratios and phosphorus distribution change in the W/S $i_{x}$ thin films according to phosphorus concentration of polysilicon and W $F_{6}$ flow rate for the formation of WS $i_{x}$ polycide used as a gate electrode. We report that these physical characteristics have effects on the contact resistance between word line and bit line in DRAM devices. RBS measurements show that for the samples having phosphorus concentrations of 4.75 and 6.0${\times}$10$^{2-}$ atoms/㎤ in polysilicon, by applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, Si/W composition ratio has increases to 2.05∼2.24 and 2.01∼2.19, respectively. SIMS analysis give that phosphorus concentration of polysilicon for both samples have decreases after annealing, but phosphorus concentration of WS $i_{x}$ thin film has increases by applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm. The contact resistance between word line and bit line in the sample with phosphorus concentration of 6.0 ${\times}$ 10$^{20}$ atoms/㎤ in polysilicon is lower than the sample with 4.75 ${\times}$ 10$^{20}$ atoms/㎤ After applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, the contact resistance has been improved dramatically from 10.1 to 2.3 $\mu$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$.
알칼리 용융법과 수 침출을 이용하여 탄화텅스텐(WC)으로부터 텅스텐(W) 회수에 관한 연구를 실시하였다. 알칼리 용융 처리는 알칼리염의 종류, 용융온도 및 용융시간을 변화시키면서 실시하였으며, 수 침출은 $25^{\circ}C$, 2시간 및 슬러리 농도 10 g/L로 고정하여 실시하였다. 알칼리염으로 질산나트륨($NaNO_3$)만 단독으로 사용한 경우, W의 수 침출율은 63.3%이었지만, 용융 첨가제인 수산화나트륨(NaOH) 혼합량이 증가할수록 침출율은 증가하였으며, 몰비 $WC:NaNO_3:NaOH=1:2:2$로 혼합한 용융물에서는 97.8%까지 증가하였다. NaOH는 용융 반응의 반응열 증가로 인한 반응 촉진제 역할을 한 것으로 판단된다.
본 논문에서는 차세대 멀티미디어 통신인 IMT-2000의 억세스방식으로 제안되고 있는 비동기 W-CDMA(3GPP) System을 적용, 기존의 IS-95와는 달리 Pilot symbol을 이용하여 페이딩채널을 추정하여, 이를 통한 다중사용자 간섭제거 방법으로 PIC(Parallel Interference Cancellation)을 적용하고 DPCCH(Contorl)과 DPDCH(Data)의 Power Ratio에 따른 성능을 분석하였다. 시뮬레이션 결과 Hard decision 인 경우 사용자5명의 설정에서 C:D : 3:7 과 4:6에서 가장 좋은 성능을 보였으며, 사용자를 10명으로 늘렸을 경우 C:D = 4:6 보다는 3:7의 비율에서 가장 나은 성능을 보였다.
The surface properties after plasma etching of TiW solutions using the chemistries of BCl$_3$ and SF$\_$6/ gases with varying mixing ratio have been investigated using X-ray photoelectron spectroscopy. The elements of C, Cl, F, O and S are observed on the etched TiW films. After plasma etching with SF$\_$6/ gas, Ti-S bond are detected on the samples and Ti-S bond makes a role of passivation layer that surpresses Ti-O formation. After plasma etching wish BCl$_3$ gas, Ti are easily removed but W are hardly etched. As a results, W/Ti are increased on the etched sample.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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