We consider the delay differential equations $$b(z)w(z+1)+c(z)w(z-1)+a(z)\frac{w'(z)}{w^k(z)}=\frac{P(z, w(z))}{Q(z, w(z))}$$, where k ∈ {1, 2}, a(z), b(z) ≢ 0, c(z) ≢ 0 are rational functions, and P(z, w(z)) and Q(z, w(z)) are polynomials in w(z) with rational coefficients satisfying certain natural conditions regarding their roots. It is shown that if this equation has a non-rational meromorphic solution w with hyper-order ρ2(w) < 1, then either degw(P) = degw(Q) + 1 ≤ 3 or max{degw(P), degw(Q)} ≤ 1. In addition, it is shown that in the case max{degw(P), degw(Q)} = 0 the equations above can have such a solution, with an additional zero density requirement, only if the coefficients of the equation satisfy certain strict conditions.
Conatact barrier metal용 selective W CVD 기술에서 $SiH_4//WF_6$(=R)유량비가 W막의 비저항, contact resistance, 접합주설전류 등의 전기적 특성에 미치는 영향을 $\beta$-W 의 생성에 촛점을 맞추어 조사하였다. R의 증가에 따라 W의 비저항이 증가하는데, 그 주원인은 $\alpha$-W로 부터 $\beta$-W 로의 상변태에 있다. $SiH_{4}$환원에 의한 CVD W에서 생성되는 $\beta$-W 는 산소에 의해서가 아니라 막내에 유입된 Si에 의하여 안정화된다. Si기탄상에 W를 증착할 때에는 R값이 클 경우에 $\beta$-W 가 생성되지만, TiN 기판상에 W를 증착할 때에는 R값이 큰 경우에도 $\beta$-W 가 생성되지 않는 것으로 나타났다. 또한 R이 증가함에 따라 접합누설전류가 증가하는데, 이것은 W-Si계면에 대한 수직방향으로의 Si의 소모뿐만 아니라 수평방향으로의 Si의 소모에도 그 원인이 있는 것으로 보인다.
A numerical study is conducted on the flow characteristics of a rectangular cylinder (chord-to-width ratio C/W = 2 - 10) mounted close to a rigid wall at gap-to-width ratios G/W = 0.25 - 6.25. The effects of G/W and C/W on the Strouhal number, vortex structure, and time-mean drag and lift forces are examined. The results reveal that both G/W and C/W have strong influences on vortex structure, which significantly affects the forces on the cylinder. An increase in G/W leads to four different flow regimes, namely no vortex street flow (G/W < 0.75), single-row vortex street flow ($0.75{\leq}G/W{\leq}1.25$), inverted two-row vortex street flow ($1.25<G/W{\leq}2.5$), and two-row vortex street flow (G/W > 2.5). Both Strouhal number and time-mean drag are more sensitive to C/W than to G/W. For a given G/W, Strouhal number grows with C/W while time-mean drag decays with C/W, the growth and decay being large between C/W = 2 and 4. The time-mean drag is largest in the single-row vortex street regime, contributed by a large pressure on the front surface, regardless of C/W. A higher C/W, in general, leads to a higher time-mean lift. The maximum time-mean lift occurs for C/W = 10 at G/W = 0.75, while the minimum time-mean lift appears for C/W = 2 at the same G/W. The impact of C/W on the time-mean lift is more substantial in single-row vortex regime. The effect of G/W on the time-mean lift is larger at a larger C/W.
The thermal stress between W plasma-facing material (PFM) and Cu heat sink in fusion reactors can be significantly reduced by using a W-Cu functionally graded material (W-Cu FGM) interlayer. However, there is still considerable stress at the joining interface between W and W-Cu FGM in the W/W-Cu FGM/Cu portions. In this work, we fabricate W skeletons with continuous gradients in porosity by a modified sedimentation method. Sintering densification behavior and pore characteristics of the sedimented W skeletons at different sintering temperatures were investigated. After Cu infiltration, the final W-Cu FGM was obtained. The results indicate that the pore size and porosity in the W skeleton decrease gradually with the increase of sintering temperature, but the increase of skeleton sintering temperature does not reduce the gradient range of composition distribution of the final prepared W-Cu FGM. And W-Cu FGM with composition distribution from pure W to W-20.5wt.% Cu layer across the section was successfully obtained. The thickness of the pure W layer is about one-fifth of the whole sample thickness. In addition, the prepared W-Cu FGM has a relative density of 94.5 % and thermal conductivity of 185 W/(m·K). The W-Cu FGM prepared in this work may provide a good solution to alleviate the thermal stress between W PFM and Cu heat sink in the fusion reactors.
In this paper, we introduce and study the w-weak global dimension w-w.gl.dim(R) of a commutative ring R. As an application, it is shown that an integral domain R is a $Pr\ddot{u}fer$ v-multiplication domain if and only if w-w.gl.dim(R) ${\leq}1$. We also show that there is a large class of domains in which Hilbert's syzygy Theorem for the w-weak global dimension does not hold. Namely, we prove that if R is an integral domain (but not a field) for which the polynomial ring R[x] is w-coherent, then w-w.gl.dim(R[x]) = w-w.gl.dim(R).
Let R be a commutative ring with identity. An R-module M is said to be w-projective if $Ext\frac{1}{R}$(M,N) is GV-torsion for any torsion-free w-module N. In this paper, we define a ring R to be w-semi-hereditary if every finite type ideal of R is w-projective. To characterize w-semi-hereditary rings, we introduce the concept of w-injective modules and study some basic properties of w-injective modules. Using these concepts, we show that R is w-semi-hereditary if and only if the total quotient ring T(R) of R is a von Neumann regular ring and $R_m$ is a valuation domain for any maximal w-ideal m of R. It is also shown that a connected ring R is w-semi-hereditary if and only if R is a Pr$\ddot{u}$fer v-multiplication domain.
이 실험의 목적은 혼합된 제지 하수슬러지에 최적의 공극개선재로서 woodchips의 혼합비율을 설정하기 위한 것이다. 공극개선재는 제지슬러지와 하수슬러지(건물중 2:1)혼합물에 0(W-0), 20(W-20), 33(W-33), 50(W-50)%의 부피비로 혼합되었고 강제송풍에 의한 정체식으로 퇴비화를 실시하였다. 퇴비의 부숙도를 평가하기 위하여 이화학성 변화를 조사하였다. W-33과 W-50 처리구에서 온도는 퇴비화가 시작하자마자 상승하여 5일째 $60^{\circ}C$ 이상까지 이르렀다. 열수가용성 C/N율의 감소는 퇴비화 초기에 W-0과 W-20 처리구에 비해 W-33과 W-50 처리구에서 두드러졌다. 열수가용성 $NO_3{^-}-N$은 퇴비화 초기에 거의 변화를 보이지 않다가 퇴비화 20일 이후에 빠르게 증가하였으며 W-0 처리구가 그 증가량이 가장 적었다. G.I.값은 W-50 처리구에서 20일째, W-0은 30일째 이후 80이상으로 높아졌다. 이상의 결과를 토대로 공극개선재의 혼합은 33%이상이 합리적이었으나, 특히 W-50 처리구는 송풍에 의한 온도조절이 어려웠으며, 공극개선재의 구입 및 단가 그리고 생산되는 퇴비량을 고려한다면 공극개선재를 33% 혼합하는 것이 가장 이상적이다.
전상이 일어나기 직전의 W/O형 에멀젼에는 W/O형 에멀젼과 섞여 O/W/O 형 에멀젼이 생성한다는 것을 알았다. 그래서 W/O형 에멀젼 중에 분산된 O/W/O형 분산의 정도를 평가하기 위한 목적으로 시료 에멀젼(수상 :물, 유상 TGCR을 함유한 올리브유)을 원추 평판형 회전 점도계를 사용하여 전단속도 1.92-384sec$^{-1}$(온도 25$\pm$0.1$^{\circ}C$)에서 점도를 측정하고 이 값을 Mooney의 점도식에 대입하여 이론치와 실측치의 차로부터 O/W/O형 분산의 정도를 평가했다. O/W/O형 에멀젼의 생성은 전상 직전의 시료에서 높았고, 유화제인 TGCR의 농도가 낮을수록 O/W/O형 에멀젼의 생성이 증가되는 경향이 나타났다. 이러한 사실로부터 W/O형 에멀젼이 전상 직전 부근에서 이론적으로 설명할 수 없는 고점도 현상이 전상직전의 O/W/O형 에멀젼의 생성에 의해서도 일어날 가능성이 있다고 사료된다.
Let S and T be w-linked extension domains of a domain R with S ⊆ T. In this paper, we define what satisfying the wR-GD property for S ⊆ T means and what being wR- or w-GD domains for T means. Then some sufficient conditions are given for the wR-GD property and wR-GD domains. For example, if T is wR-integral over S and S is integrally closed, then the wR-GD property holds. It is also given that S is a wR-GD domain if and only if S ⊆ T satisfies the wR-GD property for each wR-linked valuation overring T of S, if and only if S ⊆ (S[u])w satisfies the wR-GD property for each element u in the quotient field of S, if and only if S𝔪 is a GD domain for each maximal wR-ideal 𝔪 of S. Then we focus on discussing the relationship among GD domains, w-GD domains, wR-GD domains, Prüfer domains, PνMDs and PwRMDs, and also provide some relevant counterexamples. As an application, we give a new characterization of PwRMDs. We show that S is a PwRMD if and only if S is a wR-GD domain and every wR-linked overring of S that satisfies the wR-GD property is wR-flat over S. Furthermore, examples are provided to show these two conditions are necessary for PwRMDs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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