• 폴리머
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• 제31권4호
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• pp.343-348
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• 2007

이 논문에서는 vinylidene fluoride(VDF), trifluoroethylene(TrFE), chlorotrifluoroethylene(CTFE)을 사용하여 3성분계 고분자를 합성하였으며, 저온 개시제 di-tertiary-butylperoxide(DTBP)를 사용하여 현탁중합하였다. NMR, FT-IR을 통해 3성분계 고분자 사슬의 미세구조, 사슬형태의 변화에 대해 알 수 있었다. CTFE mol%가 증가할수록 $\beta$ 상태는 점차적으로 감소하고 $\gamma$ 상태는 증가하는 것을 알 수 있었다. DSC 분석결과, CTFE mol%가 증가할수록 상전이 온도($T_c$)는 상온으로 낮아지며 그 곡선은 점차 작아지고 넓게 퍼지는 현상을 확인하였다. 활성화 에너지는 Freeman-Carroll법에 의해 계산되었다.

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 2001년도 가을 학술발표회 논문집
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• pp.271-274
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• 2001

최근 압전성 및 유전성, 비선형 광학전도성 등과 같은 특성을 갖는 전기전자 및 광기능성 고분자에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다[1-2]. 그 중에서 압전 및 초전성을 나타내는 대표적 유기 고분자인 poly(vinylidene fluoride)(PVDF)의 경우 압전성을 향상시키기 위하여 vinylidene. fluoride(VDF)나 vinyl fluoride(VF), trifluoroethylene(TrFE) 등과 공중합시킨 고분자들에 대한 연구가 활발히 진행되어 왔다[3-4]. (중략)

• 전기전자학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.705-709
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• 2022

Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-TrFE)) 고체 전해질 층의 어닐링 온도가 고분자 멤리스터의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 형태적 분석에서 100℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (100P(VDF-TrFE)) 박막 대비 200℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (200P(VDF-TrFE)) 박막의 표면 거칠기가 약 5배 크고 두께는 약 20% 작은 것으로 나타났다. 100P(VDF-TrFE)를 갖는 멤리스터 (M100) 대비 200P(VDF-TrFE) 멤리스터 (M200)의 set voltage는 약 50% 감소하였고, reset voltage의 크기는 약 30% 증가하였다. 또한, M200이 M100보다 더 나은 메모리 유지 특성을 갖는 것으로 나타났다. 이러한 차이는 M100 대비 M200 내부의 강한 국소 전기장 때문인 것으로 판단된다. 본 연구는 고분자 멤리스터의 어닐링 온도의 중요성을 제시함에 의의가 있다.

• Composites Research
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• 제28권3호
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• pp.75-80
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• 2015

Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene; P(VDF-TrFE))는 여러 분야에서 다양한 형태로 활용되고 있는 유망한 전기활성고분자이다. 이 재료는 전기-기계적 특성을 가지고 있기 때문에 다양한 형태의 센서와 구동기로 활용되고 있으며, 복합재료 구조의 거동을 관찰하는 센서로도 활용이 가능하다. 본 논문에서는 세 가지 방법; (1) 전기적 폴링, (2) 어닐링-냉각, (3) 압축을 사용하여 P(VDF-TrFE) 공중합체 필름의 ${\beta}$ 상 결정구조 향상시켜 센서로서의 특성을 강화하기 위한 연구를 수행하였다. P(VDF-TrFE) 필름에 대한 각 방법의 효과를 조사하기 위해 X-선 회절을 통한 미세구조분석을 수행하였다. 실험 결과, 전기적 폴링, 어닐링-냉각, 그리고 압축 방법 모두 P(VDF-TrFE) 필름의 ${\beta}$ 상 결정구조 향상에 효과적이었으며 대조군 (45.29%)대비 최대 62.80%까지 ${\beta}$ 상 결정도가 향상됐다.

• 폴리머
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• 제37권1호
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• pp.74-79
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• 2013

Polyvinylidene fluoride(PVDF)와 다양한 조성을 갖는 P(VDF-co-HFP)를 개시제 diisopropyl peroxidicarbonate(DIPPDC)와 용매 R-113을 사용하는 용액중합방법을 통해 성공적으로 합성하였다. 공중합의 VDF와 hexafluoropropylene(HFP)의 반응성 비는 $r_{VDF}=2.06{\pm}0.03$과 $r_{HFP}{\approx}0$으로 확인되었다. 이결과는 HFP의 자가 사슬성장이 거의 일어나지 않는다는 것을 의미한다. 고분자의 중량평균 분자량 및 분포도는 HFP 함량이 증가할수록 점차적으로 감소하는 경향성을 보였다. 고분자의 녹는점은 HFP 함량이 증가할수록 결정화를 방해하기 때문에 선형적으로 낮아지는 경향성을 나타내었다. 더욱이 높은 HFP 함량에서는 녹는점이 발견되지 않았다. 고분자의 유리전이 온도의 경우, HFP 함량이 증가할수록 고분자사슬의 유동성을 감소시켜 점차적으로 상승하였다.

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 2003년도 가을 학술발표회 논문집
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• pp.193-194
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• 2003

전기활성 고분자인 poly(vinylidene fluoride)(PVDF)를 전기 비활성 고분자와 블렌드시키는 경우 어떤 블렌드계에서는 용융 온도 이상에서 LCST(lower critical solution temperature) 상분리 거동을 나타내는데[1,2], 이때 외부 전장을 가해주면 이들의 상분리 거동에 영향을 미칠 수 있다[3]. PVDF와 블렌딩시켰을 때 LCST 상분리 거동을 나타내는 고분자로는 poly(methyl methacrylate), poly(ethyl methacrylate), poly(1,4-butylene adipate) (PBA) 등이 있다[l,3]. (중략)

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 2002년도 봄 학술발표회 논문집
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• pp.105-109
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• 2002

vinylidene fluoride(VDF)와 trifluoroethylene(TrFE)의 공중합체 인 P(VDF/TrFE)는 전기활성을 갖는 강유전성 결정이므로 압전성 및 초전성 재료로 PVDF와 더불어 널리 사용되고 있다. 그러나 P(VDF/TrFE)는 어떤 온도 이상에서는 all-trans conformation을 하는 강유전 결정상이 전기적으로 불활성으로 되면서 PVDP의 $\alpha$-결정의 사슬배좌(trans-gauche)와 유사한 상유전 결정상으로 전이하는 상승 Curie 전이 온도 (T$^{\uparrow}$ $_{c}$ )가 존재하기 때문에 P(VDF/TrFF)의 압전재료로서의 적용온도 범위가 넓지 못하다는 단점이 있다. (중략)

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 2003년도 봄 학술발표회 논문집
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• pp.319-320
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• 2003

압전성과 초전성을 나타내는 고분자인 poly(vinylidene fluoride)(PVDF)는 poly(methyl methacrylate), poly(vinyl acetate), 및 Poly(vinyl methyl ketone)(PVMK) 등과 블렌딩하면 혼화성(miscibility)이 있다. 이들 블렌드물들을 용융온도 이상으로 승온시키면 낮은 온도에서는 균일상으로 존재하지만, 온도가 계속 증가하면 상분리되어 LCST(lower critical solution temperature)를 나타낸다[1]. 이러한 승온에 의한 상분리 거동에서 외부전장을 가하면 전기활성 고분자인 PVDF에 영향을 주어 상분리 거동이 변화될 것으로 예산된다. (중략)

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.232-233
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• 2001

2차 비선형광학 물질이 높은 응용성을 갖기 위해서는 큰 2차 비선형광학 계수뿐만 아니라 넓은 파장 영역에 걸친 투명성을 가지고 있어야 한다. vinylidene fluoride(VDF)와 trifluoroethylene(TrFE)가 공중합된 f(VDf-TrFE) 공중합체는 이러한 조건을 갖추고 있는 강유전성 물질이다. 우리는 몰비율이 72：28인 P(VDF-TrFE)을 ITO기판위에 casting하고 corona 극화한 뒤, 두 개의 입력 파장(1064nm, 532nm)에 대한 2차 조화파 발생 실험을 실시하고 Herman과 Hayden의 마커무의 식을 이용하여 2차 비선형 광학 계수를 측정하였다. (중략)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.85-86
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• 2007

A poly(vinylidene fluoride-trifluoroethyene) (P(VDF-TrFE)) copolymer thin film having ${\beta}$ phase was prepared by sol-gel method. The electrical properties of the film were studied to evaluate the possibility for appling to a ferroelectric random access memory. In order to characterize its electrical properties, we produced a MFS (metal-ferroelectric-semiconductor) structure by evaporation of Au electrodes. The C-V (capacitance-voltage) measurement revealed that the Au/P(VDF-TrFE)/Si structure with a 4 wt% film had a memory window width of about 0.5V for a bias voltage sweep of 1V.