• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.188-188
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• 2012

ZnO particles with a size range of 50-150 nm were coated with polydimethylsiloxane (PDMS) with a thin film thickness of 3-4 nm using a simple ambient-pressure chemical vapor deposition methods. Surfaces consisting of the PDMS-coated ZnO nanoparticles were found to be superhydrophobic with a water contact angle higher than $160^{\circ}$. The superhydrophobicity was sustained in the presence of UV light. Photocatalytic activity and photocorrosion of ZnO were nearly completely quenched in the presence of PDMS coating. It is suggested that our PDMS-coating can be of potential interest for the application of ZnO in UV protection agents and energy and electronic devices.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.455-455
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• 2013

$CeO_2$ nanorings were synthesized by using a surfactant free hydrothermal method. The surface morphology, structural and optical properties of the synthesized $CeO_2$ was investigated by using scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and ultraviolet-visible (UV) spectroscopy measurements. SEM images showed that the surface morphology of the formed $CeO_2$ appeared as nanorings. The XRD pattern of $CeO_2$ nanorings showed the presence of the polycrystalline $CeO_2$ phase readily indexed to the cubic fluorite structure of the $CeO_2$. The mean crystallite size of the $CeO_2$ was calculated using the Scherrer equation from the XRD line broadening of the (111) planes of the cubic $CeO_2$. The UV-Visible spectroscopy spectrum of the $CeO_2$ nanorings exhibited a strong UV absorption band around 350 nm.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.1
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• pp.76-80
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• 2000

CF & $CF_2$ radicals in a $C_4F_8$ inductively coupled plasma were observed with laser induced fluorescence. 251.9nm UV laser was used for the $CF_2$ excitation and 265.3nm UV emitted light for the detection which has the maximum intensity among many induced fluorescence lights. In the case of CF radical detection, 232.9nm UV laser was used for the excitation and 247.6nm for the detection. $CF_2$ radical density increased toward substrate, while CF radical had its maximum at about 10nm away from the substrate. The atomic fluorine density which was studied by the actinometry increased as the position moves away from the substrate. This phenomena was thought to have a close relation with the polymer growth on the wafer. When the bias voltage increased, $CF_2$ , CF radicals decreased while the atomic fluorine increased tio some extent and then decreased, which was thought to be due to the change in the ionization and dissociation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.217.1-217.1
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• 2013

서브파장 나노구조는 점진적으로 변화하는 굴절률을 이용하여 반사율을 줄이고 투과율을 증가시킴으로써 광전자소자 분야에서 많이 응용되고 있다. 최근에는 서브파장 나노구조 제작의 용이함을 위하여 polydimethylsiloxan (PDMS) 스탬프와 UV 경화폴리머를 사용하여 반사방지막을 제작하는 연구가 활발히 진행되고 있다. PDMS는 높은 내구성, 낮은 표면 에너지 등의 특성을 가지고 있으며, UV 경화폴리머는 저온에서 빠른 경화, 높은 투과성 등의 장점을 가진다. 본 연구에서는 서로 다른 주기의 서브파장 구조를 갖는 PDMS 스탬프를 제작하였고, 이를 이용한 반사방지 구조 응용을 통해 제작된 나노구조의 구조적, 광학적 특성을 분석하였다.

• Polymer(Korea)
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• v.25 no.3
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• pp.327-333
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• 2001

Acetylene substituted fluorenes such as 2-ethynylfluorene and 2,7-diethynyl-fluorene were synthesized and thin films were prepared by the vacuum deposition. Curing of these fluorene derivatives could be achieved by heat treatment and UV irradiation. The curing temperature of 2-ethynylfluorene and 2,7-diethynylfluorene were found to be 231 and $198^{\circ}C$, respectively. The cured poly(2-ethynylfluorene) and poly(2,7-diethynylfluorene) started to decompose at 280 and $ 385^{\circ}C$, respectively. Fluorescent characteristics of the cured films were similar to those of monomers, but fluorescent efficiency of the film was decreased about 3 to 10 fold.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.238-238
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• 2012

Ag (silver)의 일함수는 T-OLED (Top Emission Organic Light Emitting Diode)의 전극소자로 사용하기에는 다소 낮다는 단점이 있다(~4.3 eV). 이러한 단점을 해결하기 위한 대안으로 Ag 박막의 표면을 플라즈마 처리, UV 처리 및 열처리를 통하여 일함수를 높이는 연구가 진행 되어왔다(>5.0 eV). 하지만 현재의 대부분 연구는 후 처리된 박막의 일함수에 초점을 맞춰 연구가 진행 되어 박막의 nano-mechanical property에 대한 연구는 매우 부족하다. 따라서 본 논문에서는 AgOx 박막의 nano-mechanical property에 초점을 맞춰 분석을 실시하였다. 연구에 사용된 샘플은 Ag 박막을 유리기판 위에 rf-magnetron sputter 장치를 이용하여 100 W의 power로 150 nm 두께로 증착하였다. 증착된 Ag 박막은 $O_3$ 발생 UV 램프를 이용하여, 다양한 시간동안 UV 처리하였다(0~9분). 증착된 샘플은 Four-point probe, nanoindenter 장비를 이용하여 nano-mechanical property를 분석하였다. 실험 결과 UV 처리 시간이 0, 1분에서 면저항이 0.16, 0.50 ${\Omega}$/sq로 급격한 변화가 나타났으나, 반면 3분 이후 9분의 샘플의 경우, 0.55 ${\Omega}$/sq에서 0.24, 0.20, 0.15 ${\Omega}$/sq로 감소하여 전기적 특성변화를 볼 수 있었다. 또한 nanoindenting 결과 UV 처리한 박막의 극 표면 경도 값의 변화는 0~5분 처리한 샘플의 경우, 물리적인 경도가 증가하는 형태를 보이며 UV 처리를 5분간 했을때 7.89 GPa로 최고의 경도를 가진다. 그 이후부터는 6.97, 3.46 GPa의 결과로 박막의 경도가 감소되는 결과를 얻었다. 이러한 결과로부터 Ag 박막의 후처리에 따른 Ag 물질의 산화 및 결정상태에 따라 박막 내에 존재하는 residual stress를 분석할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.182.1-182.1
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• 2013

Silver (Ag)는 높은 반사율을 가지고 있어 Top-Emission Organic Light Emitting Diode (T-OLED)의 반사전극으로 사용하기 적합하지만 일함수가 낮은 단점 (4.3 eV)을 가지고 있다. 이런 낮은 일함수를 증가시키기 위하여 Ag 박막 표면을 산화시켜 일함수를 증가시키기 위한 연구가 진행중에 있으며, 이 연구에서는 UV로 $O_3$을 발생시켜 Ag 박막 표면을 산화시키기 위한 연구를 진행하였다. 특히, Ag 박막 표면의 일함수 변화를 측정하기 위하여 SPM (Scanning Probe Microscopy)의 KPFM (Kelvin Probe Force Microscopy) mode를 적용하여 nano 영역에서의 일함수 변화를 surface potential로 측정하여 UV 표면 산화에 의한 표면 일함수 형상을 확인하였다. Ag 박막은 rf magnetron sputter를 사용하여, Si 기판위에 300nm 두께로 증착시켰다. 이후 $O_3$ 발생되는 UV 램프로 Ag 박막 표면 30초 간격으로 최대 5분간 산화시켰으며, 이후 KPFM mode를 사용하여 산화 시간에 따른 Ag 박막 표면의 potential 변화를 측정하였다. 0~3분간 산화된 Ag 박막 표면의 potential은 약 6 mV로 일정하였으나 3분 이후 최대 110 mV까지 급격하게 변화하는 것을 확인할 수 있었다. Ag 박막 표면의 RMS roughness는 UV 산화처리 전0.7 nm였으나, potential이 급격하게 증가하는 시점인 3분 이후 2.83 nm로 약 400% 이상 증가하였다. 이를 통해 $O_3$ 발생 UV 램프로 산화된 Ag 박막의 표면 물성은 처리 시간에 따라 급격히 변하는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.390.2-390.2
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• 2016

Single crystalline indium-tin-oxide (ITO) nanowires (NWs) were grown by sputtering method. A thin Ni film of 5 nm was coated before ITO sputtering. Thermal treatment forms Ni nanoparticles, which act as templates to diffuse Ni into the sputtered ITO layer to grow single crystalline ITO NWs. Highly optical transparent photoelectric devices were realized by using a transparent metal-oxide semiconductor heterojunction by combining of p-type NiO and n-type ZnO. A functional template of ITO nanowires was applied to this transparent heterojunction device to enlarge the light-reactive surface. The ITO NWs/n-ZnO/p-NiO heterojunction device provided a significant high rectification ratio of 275 with a considerably low reverse saturation current of 0.2 nA. The optical transparency was about 80% for visible wavelengths, however showed an excellent blocking UV light. The nanostructured transparent heterojunction devices were applied for UV photodetectors to show ultra fast photoresponses with a rise time of 8.3 mS and a fall time of 20 ms, respectively. We suggest this transparent and super-performing UV responser can practically applied in transparent electronics and smart window applications.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.178.1-178.1
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• 2014

본 연구에서는 RF스퍼터링법에 의하여 유리기판에 NiO를 40 nm만큼 증착시킨후, 30분 동안 각각 상온, $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$로 후 열처리 하였다. 박막의 전자적, 광학적 특성은 XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), REELS (Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy)와 UV-Spectrometer를 이용하여 =측정하였고, Hall Effect를 이용하여 전기적 특성을 측정하였다. XPS측정결과, $400^{\circ}C$ 후 열처리 한 NiO박막은 NiO 결합인 Ni2+가 줄어 들면서 금속 결합인 Ni0가 증가하면, 상온에서 띠틈이 4.0eV, 3.4eV로 줄어드는 것을 REELS로 확인 했다. 이 값은 UV-Spectrometer를 이용한 광학적 띠틈과 같음을 보였다. Hall Effect측정 결과 $400^{\circ}C$ 후 열처리한 샘플에서 P-type에서 N-type으로 바뀜을 보였으며, 비저항이 낮아지는 경향을 보였다. UV-Spectrometer를 이용한 광학적 특성을 측정해본 결과, 가시광선영역인 380 nm~780 nm에서의 투과율이 75%이상으로 투명전자소자로의 응용이 가능하다는 것을 보여 주었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.460-460
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• 2010

단결정 수정은 높은 자외선(UV) 투과성, 화학정 내성, 압전성 등의 특성을 가지고 있으며, 이로 인해 UV 나노임프린트 리소그래피의 스탬프, 광학 리소그래피의 마스크, MEMS 능동소자 등의 다양한 분야에 응용되고 있다. 단결정 수정의 응용분야를 넓히기 위해서 수정과 수정을 접합하는 것은 매우 유용하다. 수정과 수정의 접합은 무결정 유리, 금속등의 중간층을 이용한 접합이 소개되었으나, 접합 시 접합 계면의 평평도가 낮아 지거나, 중간 금속층의 내화학성이 낮은 단점이 있다[1,2]. 이를 극복하기 위해 중간층을 사용하지 않고, 습식 화학적 에칭을 통한 수정-수정의 직접 접합 방법이 소개되었다[3]. 이 방법은 UV 투과성과 내화학성이 높은 접합을 형성할 수 있으나 500도씨 이상의 고온의 어닐링이 필요한 단점이 있다. 본 연구에서는 플라즈마를 이용하여 저온(200도씨)에서 수정-수정의 직접 접합을 형성하였다. 플라즈마 처리를 통해 수정-수정 직접 접합의 접합 강도가 향상되는 것을 확인하였다. 플라즈마 시간과 수정의 표면 거칠기가 접합 강도에 미치는 영향을 분석하였다. 이 방법을 이용하여 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프를 제작하였으며, 성공적으로 나노임프린트를 수행하였다. 이 방법은 MEMS 능동 소자 제작, UV 나노임프린트 리소그래피 스탬프 등 다층 수정구조 제작에 등에 응용될 것으로 기대된다.