우라늄, 플루토늄 및 그 자핵종(子核種)으로부터 방출(放出)되는 저(低)에너지감마선(線) 또는 저(低)에너지영역(領域)의 X-선(線)스펙트럼으로부터의 필름배지 개인피폭선량해석(個人被曝線量解析) 및 평가(評價)에 필요(必要)한 기술자료(技術資料)를 제공(提供)하였다. 필름배지는 한국핵연료개발공단(韓國核燃料開發公團)(현(現) 한국(韓國)에너지연구소(硏究所))에서 개발(開發)한 것이며, 저(低)에너지표준선원(標準線源)은 방사선량강도(放射線量强度)의 손실(損失)을 최소(最少)로 유지(維持)하면서 가능(可能)한 한 X-선(線)스펙트럼폭(幅)을 금속(金屬)필터로 좁게 줄인 X-선(線)을 이용(利用)하였다. 그 결과(結果) 얻은 X-선(線)에너지는 49 keV, 154 keV 및 256 keV 이었으며, 이 값은 Kramer의 이론적계산결과(理論的計算結果)와 잘 일치(一致)하였다. 이들 에너지 군별(群別) X-선(線)의 필름광학밀도(光學密度)와 선량(線量)과의 관계(關係)는 Matrix 법(法)으로 해석(解析)하여 측정광학밀도(測定光學密度)로부터 저(低)에너지 X-선(線)의 개인피폭선량(個人被曝線量)을 직접(直接) 환산(換算)할 수 있게 되었다. 이 결과(結果)는 국내(國內) 방사선작업(放射線作業) 종사자(從事者)들의 개인피폭선량측정자료(個人被曝線量測定資料)의 균질성(均質性) 향상(向上)에 기여(寄與)하게 될 것이다.
진단목적의 방사선 의료 영상의 활용의 증가에 따라 환자의 피폭 선량 증가와 의료영상의 진단적 가치 저하에 기여하는 산란선의 관리 및 저감을 위한 연구는 필수적이라 할 수 있다. 이에 본 연구에서는 관전압 증가에 따른 산란선의 증감이 영상 화질에 미치는 영향을 분석하였다. 이를 위해 ANSI 흉부 팬텀을 이용하여, 관전압 변화에 따른 산란선 발생 비율을 측정하고, 산란선의 발생에 따른 화질 영향을 RMS(Root Mean Square) 입상성 평가, RSD(Relative Standard Deviation) 및 NPS(Noise Power Spectrum) 분석을 통해 고찰하였다. 관전압 증가에 따른 산란선 발생비율은 73 kV 관전압에서 48.8%, 93 kV 관전압 인가시 80.1%로 점차 증가하는 것으로 확인되었다. 관전압 증가에 따른 산란선 증가의 화질 영향을 분석하기 위한 RMS 분석 결과, 관전압 증가에 따른 RMS 값이 증가하는 것으로 나타나 영상의 입상성이 떨어지는 결과로 도출되었다. 공간주파수 2.5 lp/mm에서의 NPS 값 또한 관전압 73 kV 인가에 비해 93kV 관전압 증가시 20% 정도 영상의 잡음이 증가하는 것으로 나타났다. 본 연구를 통하여 관전압 변화에 따른 산란선 발생이 화질에 미치는 영향을 확인할 수 있었으며, 이러한 연구 결과는 의료영상 품질 개선을 위한 연구의 기초 자료로서 활용 가능할 것으로 판단된다.
본 연구에서는 실리콘 광 증배소자(Silicon photomultiplier)와 Ce:GAGG 섬광체 단결정을 이용한 섬광검출기를 제작하고, 감마선 분광특성 분석을 통해 기존에 상용화된 LYSO, CsI:Tl 섬광체와의 분광특성을 비교하였다. 섬광체 단결정의 크기는 $3{\times}3{\times}20mm^3$ 이며 $3{\times}3mm^2$ 실리콘 광 증배소자를 이용하여 섬광검출기를 제작한 후, 표준 감마선원인 $^{133}Ba$, $^{22}Na$, $^{137}Cs$, $^{60}Co$에 대한 에너지 분해능을 각각 측정하고 비교하였다. 그 결과 Ce:GAGG 섬광검출기의 감마선에 대한 에너지 분해능은 $^{133}Ba$ 0.356 MeV에서 13.5%, $^{22}Na$ 0.511 MeV에서 6.9%, $^{137}Cs$ 0.662 MeV에서 5.8% 그리고 $^{60}Co$ 1.33 MeV에서 2.3%의 분광 특성을 확인 할 수 있었다.
본 연구에서는 의료용 X선 발생기의 고전압 발생장치를 설계하는 방법을 제시한다. 고전압의 발생을 위해 인버터를 사용하였다. 또한 라인필터회로, 정류회로, 펄스 복 변조 제어회로, 전 브리지 구동회로, 고전압 트랜스, 고전압 정류회로를 설계 제작하였다. 본 논문에서 제시된 설계 방법에 의해 스위칭 주파수 40 KHz인 고전압 발생장치를 제작·실험하여 가변전압 0∼620 V. 가변전류 50 ∼500 mA를 얻었다.
We use the non-stationary three dimensional two-layer outer gap model to explain gamma-ray emissions from a pulsar magnetosphere. We found out that for some pulsars like the Geminga pulsar, it was hard to explain emissions above a level of around 1 GeV. We then developed the model into a non-stationary model. In this model we assigned a power-law distribution to one or more of the spectral parameters proposed in the previous model and calculated the weighted phase-averaged spectrum. Though this model is suitable for some pulsars, it still cannot explain the high energy emission of the Geminga pulsar. An Inverse-Compton Scattering component between the primary particles and the radio photons in the outer magnetosphere was introduced into the model, and this component produced a sufficient number of GeV photons in the spectrum of the Geminga pulsar.
${\gamma}$-선의 full-energy Peak에 대한 상대적 검출효율을 Pair-Point method에 의해서 결정하였다. 이때 사용된 방사선원은 ${\gamma}$-선의 상대적 방출율이 이미 잘 측정된 $^{56}$ Co 이 됐다. 이 방법을 통해서, ${\gamma}$-선 에너지 범위 800-3500keV에 걸쳐, 반응치적 43.8cc, 32.6cc 및 6cc의 Ge(Li) 검출기들의 검출효율을 보정하였다.
We have calculated the cosmic ray(CR) acceleration at young remnants from Type Ia supernovae expanding into a uniform interstellar medium(ISM). Adopting quasi-parallel magnetic fields, gasdynamic equations and the diffusion convection equation for the particle distribution function are solved in a comoving spherical grid which expands with the shock. Bohm-type diffusion due to self-excited $Alfv\acute{e}n$ waves, drift and dissipation of these waves in the precursor and thermal leakage injection were included. With magnetic fields amplified by the CR streaming instability, the particle energy can reach up to $10^{16}Z$ eV at young supernova remnants(SNRs) of several thousand years old. The fraction of the explosion energy transferred to the CR component asymptotes to 40-50 % by that time. For a typical SNR in a warm ISM, the accelerated CR energy spectrum should exhibit a concave curvature with the power-law slope flattening from 2 to 1.6 at $E{\gtrsim}0.1$ TeV.
We present analysis results of Korean VLBI Network (KVN) four-band data for the highly variable blazar 3C 279. We measured the 22, 43, 86, and 129 GHz flux densities and spectral indices of the source using contemporaneous data taken over 5.6 years. We used the discrete correlation function to investigate correlations between the radio emission properties and those measured in the optical (2 × 1014 - 1.5 × 1015 Hz), X-ray (0.3-10 keV), and gamma-ray (0.1-300 GeV) bands. We found a significant correlation between the radio spectral index and gamma-ray flux without a time delay and interpreted the correlation using an extended jet scenario for blazar emission.
본 연구에서는 기계적 합금화(MA)에 의한 고상-기상반응에 있어서 질소원자가 V-Fe계 합금의 비정질화에 미치는 영향을 조사하였다. 유성형 볼밀을 사용하여 $V_{70}Fe_{30}$혼합분말을 질소가스 분위기 중 MA 처리하였다. 그 결과 160시간 MA 처리에 의하여 비정질상이 생성됨을 알 수 있었다. 160시간 동안 MA 처리한 ($V_{70}Fe$_{30}$)_{0.89}N_{0.11}$ 분말시료의 열분석 결과 약 $600^{\circ}C$에 비정질상의 결정화에 의한 발열 peak가 관찰되었다. 또한 bcc 결정에서 비정질상으로의 구조변화 과정을 X선 및 중성자 회절법을 통하여 조사하였으며, 특히 중성자회절에서는 V원자의 중성자에 대한 간섭성 핵산란진폭이 매우 작은 특징을 이용하였다. 그 결과, 이 합금계에서의 비정질화는 모든 결정구조에서 전형적으로 존재하는 8면체 unit가 우선적으로 붕괴되어 4면체 unit로 변환되어 가는 과정임을 알 수 있었다. 또한 중성자 회절에 의한 구조해석 결과 질소원자는 V원자로 이루어진 다면체의 중심에 위치하고 있음을 알 수 있었다.
This paper explored the effect of deposition conditions on the characteristics of copper oxide (CuOx) thin films prepared by direct current (DC) magnetron sputtering. X-ray diffraction exhibited that CuO with n-type conductivity was the main composition regardless of the DC magnetron sputtering power whereas the phase transition from n-type CuO to p-type Cu2O was observed with decreasing the oxygen pressure (OP) from 40 to 20%. The optical band gap ranges of 1.6-1.9 eV, which are characteristic of n-type CuO, were determined for samples prepared with OPs of 30-40% while the optical band gap of 2.3 eV, which is characteristic of p-type Cu2O, was measured for samples prepared with an OP of 20%. In addition, only Cu+ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) peak at the ~932.6 eV position exists in the films deposited with an OP of 20%, whereas only Cu2+ XPS peaks at ~934.2 eV and in the range of 940-945 eV are observed in the films deposited with an OP of 40%. Furthermore, as a result of XPS depth profile analysis, it was confirmed that the composition ratio of the sample prepared at an OP of 20% was Cu2O, whereas the composition ratio of the sample prepared at an OP of 40% was CuO. These suggest that the CuOx thin films could be constantly converted from n-type CuO to p-type Cu2O by decreasing the oxygen partial pressure. Thin film transistors with Cu2O deposited at 20% OP revealed p-type characteristics such as onset voltage (VON) of -3 V, saturated hole mobility of 8 cm2/Vs at VGS = -28 V, subthreshold swing of 0.86 V/decade at VGS-VON = -0.5 V, and on/off ratio of 1.14 × 103.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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