This paper presents an ultra-wideband (UWB) CMOS low noise amplifier (LNA) topology that operates in 3.1-10.6GHz band. The common gate structure provides wideband input matching and flattens the passband gain. The proposed UWB amplifier is implemented in 0.18 um CMOS technology for lower band operation mode. Simulation shows a minimum NF of 2.35 dB, a power gain of $18.3{\sim}20\;dB$, better than -10 dB of input and output matching, while consuming 16.4 mW.
As an upgrade we report the current ASTE ultra-wideband corrugated horn design. The length of the feedhorn gets shortened from 12.5 mm to 11 mm, and it shows better side lobe level at the far-field patterns compared with the previous design. We looked into possible quasi-optical solution to match the feedhorn beam to the optics of the current ASTE telescope, starting from frequency-independent solution using two ellipsoidal mirrors to which wideband performance of the feedhorn naturally fits. We used a commercial physical optics package (GRASP) with an user-defined optimizer to give physical constraints to evaluated optical designs for highest efficiency.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.8
no.4
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pp.277-282
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2008
A fully integrated inductorless CMOS impulse radio ultra-wideband (IR-UWB) receiver is implemented using $0.18\;{\mu}m$ CMOS technology for 3-5 GHz application. The UWB receiver adopts the non-coherent architecture, which removes the complexity of RF architecture and reduces power consumption. The receiver consists of inductorless differential three stage LNA, envelope detector, variable gain amplifier (VGA), and comparator. The measured sensitivity is -70 dBm in the condition of 5 Mbps and BER of $10^{-3}$. The receiver chip size is only $1.8\;mm\;{\times}\;0.9\;mm$. The consumed current is 15 mA with 1.8 V supply.
An ultra-wideband low-noise amplifier is proposed with operation up to 8.2 GHz. The amplifier is fabricated with a 0.18-${\mu}m$ CMOS process and adopts a two-stage cascode architecture and a simplified Chebyshev filter for high gain, wide band, input-impedance matching, and low noise. The gain of 19.2 dB and minimum noise figure of 3.3 dB are measured over 3.4 to 8.2 GHz while consuming 17.3 mW of power. The Proposed UWB LNA achieves a measured power-gain bandwidth product of 399.4 GHz.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.20
no.4
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pp.323-332
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2009
In this paper, we introduce a modified short-circuited stub bandpass filter suitable for ultra-wideband(UWB) applications utilizing low temperature co-fired ceramic(LTCC) technology. By modifying the conventional short-circuited stub bandpass filter structure with stubs and connecting lines of lower characteristic impedances, the number of stubs has been reduced from 5 to 2 on a high dielectric constant substrate($\varepsilon_r$ = 40). A wireless local area network (WLAN) stopband in the frequency range of 5.15 to 5.825 GHz has been inserted into the filter characteristic using three short-circuited coupled lines. The filter has been measured with an insertion loss less than 1.0 dB and return loss better than 10 dB in the pass bands. A bandwidth ratio of 109.49 % has been achieved. Measurement results agree well with simulation results. The dimensions of the filter are $4{\times}8{\times}0.57\;mm^3$.
In this paper, we designed and implemented an ultra wideband(UWB) antenna with band rejection characteristics. The proposed antenna consists of a planar radiation patch with slots and ground planes on both sides. Due to the slots in the radiation patch, the antenna shows band rejection characteristics. U-type slot contributes for wireless local area network(WLAN, 5.15~5.825 GHz) band rejection and n-type slot contributes for X-Band(7.25~8.395 GHz) band rejection. To make voltage standing wave ratio(VSWR) less than 2.0 for UWB frequency band except rejection bands, the shapes of planar radiation patch and ground plane was modified. The Ansoft 's high frequency structure simulator(HFSS) was used for the design process and simulations of the proposed antenna. The simulated antenna showed VSWR less than 2.0 for all UWB band excepts for dual rejection bands of 5.15 ~ 5.94 GHz and 7.02 ~ 8.45 GHz. And measured VSWR for the implemented antenna is less than 2.0 for all UWB band of 3.10~10.60 GHz excluding dual rejection bands of 5.12~5.95 GHz and 7.20~8.58 GHz.
Kim Chang-Wan;Lee Seung-Sik;Park Bong-Hyuk;Kim Jae-Young;Choi Sang-Sung;Lee Sang-Gug
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.16
no.2
s.93
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pp.189-193
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2005
In this paper, we propose a direct conversion double-balanced down-converter fer MB-OFDM W system, which is implemented using $0.18\;{\mu}m$ CMOS technology and its measurement results are shown. The proposed down-converter adopts a resistive current-source instead of general transconductance stage using MOS transistor to achieve wideband characteristics over RF input frequency band $3\~5\;GHz$ with good gain flatness. The measured conversion gain is more than +3 dB, and gain flatness is less than 3 dB for three UWB channels. The dc consumption of this work is only 0.89 mA from 1.8 V power supply, leading to the low-power W application.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.8
no.3
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pp.87-92
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2008
In this paper, certain scaling functions are generated using the dyadic subband tree structure and applied to a time-hopping, pulse position modulation, ultra-wideband (TH-PPM UWB) system. Scaling functions can be obtained by iterating a lowpass filter at each level using a critically sampled dyadic tree. The performance of the TH-PPM UWB system employing scaling functions as the mono-cycle waveform is evaluated through computer simulations in a Rayleigh fading environment.
This letter presents a power efficient 64-state Viterbi decoder (VD) employing a two-stage radix-4 add-compare-select architecture. A class of VD architectures is implemented, and their hardware complexity, maximum operating speed, and power consumption are compared. Implementation results show that the proposed VD architecture is suitable for multiband orthogonal frequency-division multiplexing (MB-OFDM) ultra-wideband (UWB) systems, which can support the data rate of 480 Mbps even when implemented using 0.18-${\mu}m$ CMOS technology.
본 논문에서는 저항성 초광대역 마이크로웨이브 센서의 설계이론과 구현 방법에 대해 설명하고, 시뮬레이션을 통하여 설계된 센서의 특성을 분석한다. 구현을 위하여 연속적인 저항 프로파일은 이산화되었으며 칩 저항을 이용하여 이산 저항을 실장한다. 시뮬레이션을 통해 칩 저항 8개로 약 8 GHz까지 연속적인 저항 프로파일과 유사한 성능을 보인다는 것을 보인다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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