엔지니어드 터널베리어 메모리 적용을 위한 $HfO_2$ 층의 전하 트랩핑 특성
(Charge trapping characteristics of high-k $HfO_2$ layer for tunnel barrier engineered nonvolatile memory application)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- pp.133-133
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- 2009