Here, we report a novel fabrication technique for patchable organic lasing sheet based on non-volatile liquid organic semiconductors and freestanding polymeric film with high flexibility and patchability. For this work, we have fabricated the second-order DFB grating structure, which leads to surface emission, embedded in the freestanding polymeric film. Using an ultra-violet (UV) curable polyurethaneacrylate (PUA) mixture, the periodic DFB grating structure can be easily prepared on the freestanding polymeric film via a simple UV curing process. Due to unsaturated acrylate remained in the PUA mixture after UV curing, the freestanding PUA film provides adhesive properties, which enable mounting of the patchable organic lasing sheet onto non-flat surfaces with conformal contact. To achieve laser actions in the freestanding resonator structure, a composite material of liquid 9-(2-ethylhexyl)carbazole (EHCz) and organic laser dyes was used as the laser medium. Since the degraded active materials can be easily refreshed by a simple injection of the liquid composite, such a non-volatile liquid organic semiconducting medium has degradation-free and recyclable characteristics in addition to other strong advantages including tunable optoelectronic responses, solvent-free processing, and ultimate mechanical flexibility and uniformity. Lasing properties of the patchable organic lasing sheet were also investigated after mounting onto non-flat surfaces, showing a mechanical tunability of laser emission under variable surface curvature. It is anticipated that these results will be applied to the development of various patchable optoelectronic applications for light-emitting displays, sensors and data communications.
A Superstructure Grating(SSG) Distributed-Bragg-Reflector(DBR) laser has a broad tuning range with a good mode suppression ratio. However, gaps of channel are observed in the wavelength-tuning characteristics of an SSGDBR laser which employs linearly-chirped DBR mirrors. We found by numerical simulation that the gaps may be attributed to the nonuniform reflection-peak heights of a linearly-chirped DBR mirrors. We propose a nonlinearly chirped grating DBR mirror structure that makes reflection-peak heights almost uniform. Therefore a nonlinearly chirped grating structure can be employed in an extended tuning range semiconductor laser to achieve gap-free tuning and low threshold current operation simultaneously.
We performed the velocity selective optical pumping(VSOP) spectroscopy using the rubidium atomic vapor in the room temperature. This spectroscopic technique removes the Doppler broadening by both optical pumping effect and the selection of atoms with a particular velocity. In this experiment, we used two independent lasers; one was a locked laser whose frequency was fixed and the other was a sweep laser whose frequency was tunable. The two beams were passing through the sample in the same direction unlike the conventional VSOP spectroscopy using two counter-propagating beams. We could make the velocity selective range of atoms much wider with this method than the old one.
We report a passive Q-switching of an all-fiber erbium-doped fiber laser delivering high pulse energy by using a high quality single-walled carbon nanotube saturable absorber (SWCNT-SA). A side-polished fiber coated with the SWCNT is employed as an in-line SA for evanescent wave interaction between the incident light and the SWCNT. This lateral interaction scheme enables a stable Q-switched fiber laser that generates high pulse energy. The central wavelength of the Q-switched pulse laser was measured as 1560 nm. A repetition rate frequency of the Q-switched laser is controlled from 78 kHz to 190 kHz by adjusting the applied pump power from 124 mW to 790 mW. The variation of pulse energy from 51 nJ to 270 nJ is also observed as increasing the pump power. The pulse energy of 270 nJ achieved at maximum pump power is 3 times larger than those reported in Q-switched all-fiber lasers using a SWCNT-SA. The tunable behaviors in pulse duration, pulse repetition rate, and pulse energy as a function of pump power are reported, and are well matched with theoretical expectation.
Diode laser absorption sensors are advantageous because they may provide fast, sensitive, absolute, and selective measurements of species concentration. These systems are very attractive for practical applications owing to its compactness, resonable cost, robustness, and ease of use. In addition, diode lasers are fiber-optic compatible and thus enable simultaneous measurements of multiple species along a line-of-sight. Recent advances of room-temperature, near-IR and visible diode laser sources for telecommunication, optical data storage applications make it possible to be applied for combustion diagnostics based on diode laser absorption spectroscopy. Therefore, combined with fiber-optics and high sensitive detection strategies, compact and portable sensor systems are now appearing for variety of applications. The objectives of this research are to develope a new gas sensing system and to verify feasibility of this system. Wavelength and power characteristics as a function of injection current and temperature are experimentally found out. Direct absorption spectroscopy has been demonstrated in these experiments and has a bright prospect to this diode laser system.
Polymeric optical waveguide devices with Bragg gratings have been investigated, for implementing tunable lasers and wavelength filters used in wavelength-division-multiplexed optical communication systems. Owing to the excellent thermo-optic effect of these polymers, wavelength tuning is possible over a wide range, which is difficult to achieve using other optical materials. In this study the phase-mask technology, which has advantages over the conventional interferometeric method, was introduced to facilitate the fabrication of Bragg gratings in polymeric optical waveguide devices. An optical setup capable of fabricating multiple Bragg gratings simultaneously on a 4-inch silicon wafer was constructed, using a 442-nm laser and phase mask. During fabrication, some of the diffracted light in the phase mask was totally reflected inside the mask, which affected the quality of the Bragg grating adversely, so experiments were conducted to solve this issue. To verify grating uniformity, two types of wavelength-filtering devices were fabricated using the phase-mask lithography, and their reflection and transmission spectra were measured. From the results, we confirmed that the phase-mask method provides good uniformity, and may be applied for mass production of polymer Bragg-grating waveguide devices.
We have constructed a high efficiency and broad tunable cw Ti:sapphire laser with a four-mirror symmetric Z-type laser cavity to increase the laser usability. From theoretical analyses and experimental data for a symmetric Z-type laser cavity containing a Kerr medium, the cavity mode size and the Kerr-lens mode-locking (KLM) strength for KLM lasers can be confirmed as function of the position in the cavity, the intracavity laser power, and the stability parameter. As a result, the slope efficiency and the maximum average output power of cw Ti:sapphire laser at 5 W pumping power of Ar-ion laser were 31.3% and 1420 ㎽ respectively. The tunablility was ranged from 730 ㎚ to 908 ㎚ with average output power above 700 ㎽. We obtained the KLM operation easily by self-aperturing effect in the Kerr medium and the slope efficiency and the maximum average output power of KLM Ti:sapphire laser was 16% and 550 ㎽ respectively. The spectral bandwidth was 33 ㎚ at the center wavelength of 807 ㎚ and the pulse width was 27 fs with a repetition rate of 82 ㎒.
Compared with bulk material, quantum dots have received increasing attention due to their fascinating physical properties, including optical and electronic properties, which are due to the quantum confinement effect. Especially, Luminescent CdSe quantum dots have been highly investigated due to their tunable size-dependent photoluminescence across the visible spectrum. They are of great interest for technical applications such as light-emitting devices, lasers, and fluorescent labels. In particular, quantum dot-based light-emitting diodes emit high luminance. Quantum dots have very high luminescence properties because of their absorption coefficient and quantum efficiency, which are higher than those of typical dyes. CdSe quantum dots were synthesized as a function of the synthesis time and synthesis temperature. The photoluminescence properties were found strongly to depend on the reaction time and the temperature due to the core size changing. It was also observed that the photoluminescence intensity is decreased with the synthesis time due to the temperature dependence of the band gap. The wavelength of the synthesized quantum dots was about 550-700 nm and the intensity of the photoluminescence increased about 22~70%. After the CdSe quantum dots were synthesized, the particles were found to have grown until reaching a saturated concentration as time increased. Red shift occurred because of the particle growth. The microstructure and phase developments were measured by transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffractometry (XRD), respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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