Numerical analysis was conducted to characterize particle deposition onto a heated horizontal semiconductor wafer in vacuum environment. In order to calculate the properties of gas surrounding the wafer, the gas was assumed to obey the ideal gas law. Particle transport mechanisms considered in the present study were convection, Brownian diffusion, gravitational settling and thermophoresis. Averaged particle deposition velocities on the upper surface of the wafer were calculated with respect to particle size, based on the numerical results from the particle concentration equation in the Eulerian frame of reference. The deposition velocities were obtained for system pressures of 1000 Pa~1 atm, wafer heating of 0~5 K and particle sizes of $2{\sim}10^4nm$. The present numerical results showed good agreement with the available experimental ones.
A theoretical model which combines gaseous transport and solid state diffusion was used to study aluminide coating process by pack cementation. The aluminide coatings were applied in the high activity pack containing $NH_4Cl$ activator with Ni substrate under argon atmosphere. On the basis of the process conditions, the suggested model allows the surface composition, the growth rate of coating layers and the aluminium concentration profiles in coatings to be calculated. In the case of $NH_4Cl$ activator, careful consideration was required in the analysis, because activator contains nitrogen and hydrogen as well as halogen element to activate the pack. A good agreement is obtained between the theoretical predictions and the experimental results.
Variational method has played an important role in solving problems of uniqueness and existence of the nonlinear works as well as analysis. It will also be extremely useful for researchers in all branches of natural sciences and engineers working with non-linear equations economy, optimization, game theory and medicine. Recently, the existence of infinitely many weak solutions for some non-local problems of Kirchhoff type with Dirichlet boundary condition are studied [14]. Here, a suitable method is presented to treat the elliptic partial derivative equations, especially (p(x), q(x))-Laplacian-like systems. This kind of equations are used in the study of fluid flow, diffusive transport akin to diffusion, rheology, probability, electrical networks, etc. Here, the existence of infinitely many weak solutions for some boundary value problems involving the (p(x), q(x))-Laplacian-like operators is proved. The method is based on variational methods and critical point theory.
The RGO with controllable oxygen functional groups is a novel material as the active layer of resistive switching memory through a reduction process. We designed a nanoscale conductive channel induced by local oxygen ion diffusion in an Au / RGO+GQD / Al resistive switching memory structure. A strong electric field was locally generated around the Al metal channel generated in BIL, and the local formation of a direct conductive low-dimensional channel in the complex RGO graphene quantum dot region was confirmed. The resistive memory design of the complex RGO graphene quantum dot structure can be applied as an effective structure for charge transport, and it has been shown that the resistive switching mechanism based on the movement of oxygen and metal ions is a fundamental alternative to understanding and application of next-generation intelligent semiconductor systems.
A flow channel model of a bipolar plate with varying cross-sectional area was newly designed for improving performance and efficiency of a PEM fuel cell stack. As a result, the varying cross-sectional area model showed poor uniformity in velocity distribution, however, maximum velocity in the flow path is about 30% faster than that of the uniform cross-sectional area model. The proposed varying cross-sectional area model is expected to diffuse operating fluids more easily into diffusion layer because it has relatively higher values in pressure distribution compared with other flow channel models. It is expected that the implementation of the varying cross-sectional area model can reduce not only the mass transport loss but also the activation loss in a PEM fuel cell, and open circuit voltage of a fuel cell can thus be increased slightly.
This paper describes the electron transport characteristic in $SiH_4$ gas calculated for range of E/N values from $0.5{\sim}300$(Td) using a set of electron collision cross sections determined by the authors and the values of electron swarm parameters are obtained for TOF method. The results gained that the value of an electron swarm parameter such as the electron drift velocity, longitudinal and transverse diffusion coefficients with the experimental and theoretical for a range of E/N. The electron energy distributions function were analysed in monosilane at E/N : 30, 50(Td) for a case of equilibrium region in the mean electron energy. The validity of the results obtained has been confirmed by a TOF method.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.21
no.3
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pp.350-357
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1997
The transient incompressible flow behind the axisymmetric bluff body is numerically simulated using the random vortex method(RVM). Based on the vorticity formulation of the unsteady Navier-Stokes equations, the Lagrangian approach with a stochastic simulation of diffusion using random walk technique is employed to account for the transport processes of the vortex elements. The numerical solutions for 2-dimensional recirculating flow behind a backward-facing step in the laminar range of Reynolds number are compared with experimental data. The present simulation focuses on the transitional flow regime where the recirculation zone behind the bluff body becomes highly unsteady and large-scale vortex eddies are shed from the bluff body wake due to intrinsic shear layer instabilities. The unsteady vertical flow structures and the mixing characteristics behind the bluff body are discussed in detail.
본 연구에서는 양극의 two-phase simulation 모델을 확립하고 GDL 물성과 작동조건이 전지성능에 미치는 영향에 대해 시행하였다. 모델로는 Multi-phase $mixture(M^2)$ 모델을 사용하였는데 이 모델은 각 상의 balance식을 하나의 mixture-phase식으로 통합하여 수학적 계산이 용이할 뿐만 아니라 실제 전지 성능에 매우 근사하여 신뢰성성도 확보할 수 있었다. 최적의 GDL 구조와 작동조건을 규명하기 위해 기체투과도, 접촉각, 기공도, 기체 공급가스 차이에 따른 전지 성능 분석을 시행하였는데 그 결과 모든 파라미터들이 증가할수록 비례적으로 전지 성능이 증가하였다. 기체 공급가스>기공도>>접촉각>기체투과도 순으로 전지에 미치는 영향이 큰 것으로 나타났다.
The transient incompressible flow behind the bluffbody is numerically simulated using the random vortex method(RVM). Based on the vorticity formulation of the unsteady Navier-Stokes equations, the Lagrangian approach with the random walk technique is employed to account for the transport processes of the vortex elements. The random walk procedure for the diffusion process has been validated against the exact solutions. The present simulation focuses on the transition flow regime where the recirculation zone behind the bluffbody becomes highly unsteady and large-scale vortex eddies are shed from the bluffbody wake. The unsteady flow structures and the mixing characteristics behind the bluffbody are discussed in details.
Since the first report on long-term durable perovskite solar cell in 2012, a surge of interest in perovskite solar cell has been received due to its superb photovoltaic performance exceeding 20%. $MAPbI_3$ ($MA=CH_3NH_3$) perovskite film is able to be prepared simply by solution processesof either sequential two-step or single step procedure. Since $MAPbI_3$ shows balanced charge transport property with micrometer scale charge diffusion length, it can be applied to any kind of junction structures. Mostly studied structure is mesoscopic structure employing mesoporous oxide layer in perovskite film. Photovoltaic performance is primarilyin fluenced by the quality of perovskite film but interfaces are equally important. In this mini review, emergence and evolution of perovskite solar cell are described.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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