With the growing field and growing interest in transparent organic light-emitting diodes (TOLED) in the industry, various attempts are being made to improve the transmittance and performance of TOLED. TOLEDs are expected to be used in next-generation displays such as mixture reality (MR) displays, displayable windows, televisions, etc. This study presents a mesh TOLED with better transmittance and luminescence characteristics than existing TOLEDs through an in-situ vacuum deposition method that does not require additional processes such as photolithography and etching. In this study the mesh TOLED's cathode consists of Mg: Ag 1:9 electrode. Mesh patterns are interconnected with a 6 nm layer of interlayer. We approached transmittance improvement up to 30% at 555 nm at the cathode electrode with similar current injection character, also we improved lumination characteristics up to 23% at 7 V driving condition.
Dry film method for large size of PDP(Plasma Display Panel) module has been actively investigated. This method for lead-free transparent dielectric formation depends on green sheet technology. By adjusting the composition of transparent dielectric powders and organics, uniformly dispersed slurry was fabricated, Viscosity of the slurry exhibited pseudoplastic behavior for tape casting, Cast green sheets were tested under tensile condition at room temperature. It was found that the increase in transparent dielectric powder and binder ratio leads to decrease in strain to failure of green sheets from 120 % to 34 % and from 255 % to 4 %, respectively. Tensile strength of green sheets decreased abruptly with increase of transparent dielectric powder ratio, with minimum at 0.13 MPa. On the other hand, tensile strength increased continuously from 0.1 MPa to 2.4 MPa with increase of binder ratio. The green sheets were attached on the glass substrate and heated by following firing schedule. As a result, the best result was obtained when fired at 580 $^{\circ}C$ for 15 min and had transmittance of 78 % in visible range 550 nm.
A simple nonalkoxide sol-gel route for depositing an Al-doped ZnO thin film on a glass substrate was derived in this study. The initial Al dopant concentration in the sol-gel preparation varied and ranged from 0 to 5%. The sol-gel-derived thin films showed c-plane preferred crystallization of their hexagonal phase, with nanosized grain structures. First and second post-heat-treatments were carried out to improve the film’s electrical resistivity. The carrier density and the Hall mobility were measured and discussed to explain the electrical resistivity. The optical transmittance within the visible range showed compatible properties, which indicates the possible use of A1-doped ZnO as a transparent electrode in flat panel displays.
유리기저에 실크스크린 인쇄기법을 이용하여 투명전극형성용 유기점액인 ITO와 silver paste로써 투명전극 및 금속 전극을 형성하고 SiO 막을 입혀서 액정 매트릭스 표시기를 제작하였다. Rubbing technique로 액정분자를 유리기저에 평행으로 배열시키고, 액정의 동적산란현상을 이용하여 3:1 주소지정방식으로 한글, 알파벳, 숫자 등의 표시를 시도하였다. 제작된 6μm 두께의 표시기에 전압을 변화시키면서 그에 따른 응답파형을 관찰하였다.
한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.795-798
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2002
Replacing Pb-free glass composition for the dielectric materials is expected in PDP industry. In this study, phosphate glasses, $P_2O_5$- ZnO- SnO (PZS), $P_2O_5$-ZnO-BaO (PZB) were selected for a new transparent dielectric. Thermal properties (Tg, CTE) were measured with differential thermal analyzer and thermal mechanical analyzer. The glass transition of the glasses was ranged at $365{\sim}405^{\circ}C$ for the PZS system and $5.9{\sim}9.5{\times}\;10^{-6}$ of thermal expansion were found. The PZB system showed $445{\sim}470^{\circ}C$ of glass transition. Thus, the glass compositions would be a potential candidate for a transparent dielectric layer in plasma display panel.
Yan, Min;Erlat, Ahmet Gun;Zhao, Ri-An;Scherer, Brian;Jones, Cheryl;Smith, David J.;McConnelee, Paul A.;Feist, Thomas;Duggal, Anil
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.445-446
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2007
The use of plastic substrates enables new applications, such as flexible display devices, and other flexible electronic devices, using low cost, rollto-roll (R2R) fabrication technologies. One of the limitations of polymeric substrate in these applications is that oxygen and moisture rapidly diffuse through the material and subsequently degrade the electro-optical devices. GE Global Research (GEGR) has developed a plastic substrate technology comprised of a superior high-heat polycarbonate (LEXAN(R)) substrate film and a unique transparent coating package that provides the ultrahigh barrier (UHB) to moisture and oxygen, chemical resistance to solvents used in device fabrications, and a high performance transparent conductor. This article describes the coating solutions for polycarbonate (LEXAN(R)) films and its compatibility with OLED device fabrication processes.
(F,Ga) co-doped ZnO thin film on glass substrate was fabricated via a simple non-alkoxide sol-gel spin-coating. Contrary to the F single doped ZnO thin film, the (F,Ga) co-doped thin film showed a significant reduce in electrical resistivity after a second post-heat-treatment in reducing environment. The resulting decrease in electrical resistivity with Ga co-doping is considered to be resulted from the increases both carrier density and mobility. The optical transmittance of the (F,Ga) co-doped thin film in the visible range showed higher transmittance with Ga co-doping compared with F single doped ZnO thin film.
$Pb(ZrTi)O_3$ thin films were prepared on transparent conducting oxides, through sol-gel processing. The processing variables such as spin velocity, spin time and annealing temperature were investigated using a statistical design of experiments. Dielectric properties were determined through capacitance-voltage measurements and electrical characterizations evaluated using current-voltage characteristics. The leakage currents is determined mainly by annealing. The capacitance and breakdown voltage is found to be independent of the processing variables. The sophisticatedly controlled PZT thin films have been confirmed through microscopic images.
Tin doped indium oxide(ITO) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors, were prepared by using the capacitively coupled DC magnetron sputtering method. The influence of the substrate temperature, working gas pressure and deposition time on the electrical, optical and morphological properties were investigated experimentally. ITO films with the optimum growth conditions showed resistivity of $2.36{\times}10^{-4}(\Omega}-cm$ and transmittance of 86.28% for a film 680nm thick in the wavelength range of the visible spectrum.
We propose the Poynting vector analysis of the air mode in a top-emitting organic light-emitting diode (OLED) by combining the transfer matrix method and dipole source term. The spatial profiles of the time-averaged optical power flow of the air mode are calculated inside and outside the multilayer structure of the OLED with respect to the thickness of the semi-transparent top cathode and capping layer (CPL). We elucidate how the micro-cavity effect controlled by the thickness variation of the semi-transparent top cathode or CPL affects the internal optical power and absorption loss inside the OLED multilayer and the external optical power coupled into the air. When the calculated absorption loss and external power obtained by the proposed Poynting vector and currently-used point dipole models are compared, two calculation results are identical, which demonstrates the validity of the two models.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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