적색 칼라 필터 재료인 ${\alpha}-Fe_2O_3$가 고온 제조 공정을 거치는 동안 화학적인 안정성에 관해서 연구한 것이다. PDP(Plasma Display Panel)에 있어서 통상적으로 칼라 필터 층의 위에 사용되고 있는 투명 유전체의 경우는 광의 투과도를 높이기 위하여 ZnO를 첨가한다. ZnO가 포함되어 있는 유전체의 경우는 500$^{\circ}$C 이상에서 ${\alpha}-Fe_2O_3$의 열적 안정성을 감소시켜 칼라 필터로서의 기능을 완전히 상실하게 되어 투명하게 된다. 반면에 ZnO가 포함되지 않는 투명 유전체의 경우는 ${\alpha}-Fe_2O_3$가 적색의 색상을 유지하면서 칼라필터로서의 기능을 유지하고 있었다. ${\alpha}-Fe_2O_3$가 칼라 필터로 기능을 유지하기 위해서는 ${\alpha}-Fe_2O_3$와 접촉하는 투명 유전체는 ZnO가 포함되지 않는 투명 유전체를 사용하여 1차 보호막을 형성한 후 그 위에 ZnO가 포함된 투명 유전체층을 형성하면 적색 칼라 필터가 색상을 유지하게 된다.
Transparent BNO thin films were grown on Al-doped ZnO (AZO)/Ag/AZO/polyethersulfon (PES) (abbreviated as AAAP) transparent electrodes at a low temperature by the NCD technique. The BNO films grown on the crystallized AZO/Ag/AZO (AAA) electrodes exhibit an amorphous phase with a root mean square (rms) roughness of approximately 2 nm in the range of deposition temperature. The capacitors (Pt/BNO/AAAP) with BNO films grown at $100^{\circ}C$ show a dielectric constant of 24 and dissipation factor of 8% at 100 kHz, a leakage current density of about $8{\times}10^{-6}A/cm^2$ at an applied voltage of 1.0V. The optical transmittances of the BNO/AAAP exhibited above 80% at wavelength of 550nm at all of deposition temperature. The mechanical stability of the BNO/AAA as well as AAA electrode with the PES substrates through the bending was ensured for flexible electronic device applications. The transparent BNO capacitors grown on AAAP are powerful candidate for integration with the transparent solar cells.
This paper presents a new method for the improvement of color temperature without the change of the driving scheme using transparent dielectric layers with various metal oxides (CeO$_2$, Co$_3$O$_4$, CuO, Fe$_2$O$_3$, MnO$_2$, NiO) in plasma display panels (PDP). In this study, we fabricated ZnO-B$_2$O$_3$-SiO$_2$-Al$_2$O$_3$ glasse with various metal oxides and examined the optical properties of these glasses. As the metal oxides were added to the glasses, the visible transmittances of the dielectric layers decreased and the transmittances in special wavelength regions were reduced at different rates. The change of the transmittance in each wavelength range induced the variation of the visible emission spectra and the change of the color temperature in the PDP. The addition of Co$_3$O$_4$ and CuO slightly decreased the intensity of the blue light, but the intensities of the green and the red light were significantly decreased. Therefore, the color temperature can be improved from 6087K to 7378K and 7057K, respectively.
PDP용 투명유전체 재료로 사용되는 $PbO-B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$계의 소성과정 중에서 투명전극 (ITO)과의 반응성 및 광학적, 열적, 전기적 특성을 조사하였다. 본 연구에서 유전체막.두께는 12$\mu\textrm{m}$으로, 온도는 550-58$0^{\circ}C$에서 소성한 후 여러 물성을 평가하였다 그 결과로, 유전체와 투명전극(ITO)의 반용에서, In 이온이 유전체층으로 확산이동하였으며, Sn 확산은 거의 발생하지 않았다. 선팽창계수, 유전상수, 유리전이온도,광 투과율은 유전체 조성의 PbO 양에 큰 영향을 받았다. PbO양 증가는 선팽창계수와 유전상수를 증가시킨 반면, 유리전이온도와 광 투과율온 저하시켰다. $Al_2O_3/B_2O_3$ 비가 증가함에 따라서는 선팽창계수는 감소, 유전상수는 증가, 광 투과율은 감소하였으며, 유리 전이점 변화는 거의 나타나지 않았다.
The glass compositions of $PbO-SiO_2-B_2O_3$ system and $P_2O_5-PbO-ZnO$ system for the transparent dielectric materials for front panel and $P_2O_5-ZnO-BaO$ and $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ for the reflective dielectric materials for back panel of PDP(Plasma Display Panel) were investigated. As a transparent dielectric materials for front panel, $PbO-SiO_2-B_2O_3$ glass showed good dielectric properties, high transparency and proper thermal expansion matching to soda-lime glass substrate. And the reflective dielectric materials for back panel were prepared from parent glass of $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system and oxide filler. It was found that these glass-ceramics are useful materials for reflective dielectric layers, as those have a similar thermal expansion to soda-lime glass plate, high reflectance, low sintering temperature.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.620-621
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2008
Transparent electronics has been one of the key terminologies forecasting the ubiquitous technology era. Several researchers have thus extensively developed transparent oxide-based thin-film transistors (TFTs) on glass and plastic substrates although in general high voltage operating devices have been mainly studied considering transparent display drivers. However, low voltage operating oxide TFTs with transparent electrodes are very necessary if we are aiming at logic circuit applications, for which transparent complementary or one-type channel inverters are required. The most effective and low power consuming inverter should be a form of complementary p-channel and n-channel transistors but real application of those complementary TFT inverters also requires electrical- and even photo-stabilities. Since p-type oxide TFTs have not been developed yet, we previously adopted organic pentacene TFTs for the p-channel while ZnO TFTs were chosen for n-channel on sputter-deposited $AlO_x$ film. As a result, decent inverting behavior was achieved but some electrical gate instability was unavoidable at the ZnO/$AlO_x$ channel interface. Here, considering such gate instability issues we have designed a unique transparent complementary TFT (CTFTs) inverter structure with top n-ZnO channel and bottom p-pentacene channel based on 12 nm-thin nano-oxide/self assembled monolayer laminated dielectric, which has a large dielectric strength comparable to that of thin film amorphous $Al_2O_3$. Our transparent CTFT inverter well operate under 3 V, demonstrating a maximum voltage gain of ~20, good electrical and even photoelectric stabilities. The device transmittance was over 60 % and this type of transparent inverter has never been reported, to the best of our limited knowledge.
This study investigates $Bi_2O_3$-$B_2O_3$-BaO-ZnO glass with variations of the $Co_3O_4$ content (0.25, 0.5, 1, and 2 wt%) and the interaction between transparent dielectric and Ag electrodes heat-treated at $500-560^{\circ}C$ for 30 min. The glass transition temperature, softening temperature and thermal expansion coefficient were $432^{\circ}C$, $460^{\circ}C$ and $81.4{\times}10^{-7}/^{\circ}C$, respectively. The transmittance of 0.25 wt% $Co_3O_4$ to which dielectric was added was highest and was decreased due to coloration with the addition of more than 0.25 wt%. However, without $Co_3O_4$, the transmittance of the transparent layer was decreased due to the formation of $Ba_5Bi_3$; however, the occurrence of the crystal phase decreased as a result of the addition of $Co_3O_4$. The amount of $Co^{2+}$ ions increased as the $Co_3O_4$ increased. With a maximum of $Co^{3+}$ ions, the highest transmittance was observed.
Optical instruments based on polymer-dispersed liquid crystal (PDLC) have been used to inspect transparent electrodes. Generally the operating voltage of an inspection instrument using PDLC is very high, over 300 V, reducing its lifetime and reliability. The operating-voltage issue becomes more serious in the inspection of touch-screen panel (TSP) electrodes, due to the bezel structure protruding over the electrodes. We have theoretically calculated the parameters affecting the operating voltage as a function of the distance between the TSP and the PDLC, the thickness, and the dielectric constant of the sublayers when the inspection module was away from the TSP electrodes. We have experimentally verified the results, and have proposed a way to reduce the operating voltage by substituting a plastic substrate film with a hard coating layer of smaller thickness and higher dielectric constant.
Glasses in the $Bi_{2}O_3-SiO_2-ZnO$ glasses system were examined as a potential replacement for lead-oxide glass frits with low firing temperature ($500\sim600^{\circ}C$) for the dielectric layer of a plasma display panel (PDP). The glasses were evaluated for glass transition temperature($T_{g}$) and thermal expansion coefficient(${\alpha}$). After forming transparent thick films by a screen-printing method, it was evaluated for the optical properties. The transmittance of thick films fired at $500-600^{\circ}C$ showed above $80\%$, which was not dependent on the firing temperature. As a result, many pores were observed at samples fired at low temperature, while the number of pores from samples prepared at high temperature decreased and the pores size increased.
For the improvements in high transmittance, one of the most important factors of transparent dielectric is pore contents and pore size. This study have investigated the effect of frit size on the transmittance of zinc-boric system with a Pb-free composition. A mixed glass paste was used for thick films, which were made by screen printing methods on a glass substrate (PD200). These dielectric layers were measured for surface roughness, pores content and transmittance. The results show that increase of pore size and content have detrimental effects on the transmittance of films compared to those found in the PbO system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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