Channel Doping Concentration Dependent Threshold Voltage Movement of Asymmetric Double Gate MOSFET (비대칭 이중게이트 MOSFET의 도핑농도에 대한 문턱전압이동)
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- Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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- v.18 no.9
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- pp.2183-2188
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- 2014