Ismail, Agus;Cho, Jin Woo;Park, Se Jin;Hwang, Yun Jeong;Min, Byoung Koun
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.35
no.7
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pp.1985-1988
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2014
$Cu_2ZnSnSe_4$ (CZTSe) thin films were synthesized on transparent conducting oxide glass substrates via a simple, non-toxic, and low-cost process using a precursor solution paste. A three-step heating process (oxidation, sulfurization, and selenization) was employed to synthesize a CZTSe thin film as an absorber layer for use in thin-film solar cells. In particular, we focused on the effects of sulfurization conditions on CZTSe film formation. We found that sulfurization at $400^{\circ}C$ involves the formation of secondary phases such as $CuSe_2$ and $Cu_2SnSe_3$, but they gradually disappeared when the temperature was increased. The formed CZTSe thin films showed homogenous and good crystallinity with grain sizes of approximately 600 nm. A solar cell device was tentatively fabricated and showed a power conversion efficiency of 2.2% on an active area of 0.44 $cm^2$ with an open circuit voltage of 365 mV, a short current density of 20.6 $mA/cm^2$, and a fill factor of 28.7%.
Park, Hyeongsik;Shin, Myunghoon;Ahn, Shihyun;Kim, Sunbo;Bong, Sungjae;Tuan, Anh Le;Hussain, S.Q.;Yi, Junsin
Current Photovoltaic Research
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v.2
no.3
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pp.95-102
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2014
Light trapping techniques can change the propagation direction of incident light and keep the light longer in the absorption layers of solar cells to enhance the power conversion efficiency. In thin film silicon (Si) solar cells, the thickness of absorption layer is generally not enough to absorb entire available photons because of short carrier life time, and light induced degradation effect, which can be compensated by the light trapping techniques. These techniques have been adopted as textured transparent conduction oxide (TCO) layers randomly or periodically textured, intermediate reflection layers of tandem and triple junction, and glass substrates etched by various patterning methods. We reviewed the light trapping techniques for thin film Si solar cells and mainly focused on the commercially available techniques applicable to textured TCO on patterned glass substrates. We described the characterization methods representing the light trapping effects, texturing of TCO and showed the results of multi-scale textured TCO on etched glass substrates. These methods can be used tandem and triple thin film Si solar cells to enhance photo-current and power conversion efficiency of long term stability.
In recent years, energy-management studies in buildings have proven useful for energy savings. Typically, during heating and cooling, the energy from a given building is lost through its windows. Generally, to block the entry of ultraviolet (UV) and infrared (IR) rays, thin films of deposited metals or metal oxides are used, and the blocking of UV and IR rays by these thin films depends on the materials deposited on them. Therefore, by controlling the thicknesses and densities of the thin films, improving the transmittance of visible light and the blocking of heat rays such as UV and IR may be possible. Such improvements can be realized not only by changing the two-dimensional thin films but also by altering the zero-dimensional (0-D) nanostructures deposited on the films. In this study, 0-D nanoparticles were synthesized using a sol -gel procedure. The synthesized nanoparticles were deposited as deep coatings on polymer and glass substrates. Through spectral analysis in the UV-visible (vis) region, thin-film layers of deposited zinc oxide nanoparticles blocked >95 % of UV rays. For high transmittance in the visible-light region and low transmittance in the IR and UV regions, hybrid multiple layers of silica nanoparticles, zinc oxide particles, and fluorine-doped tin oxide nanoparticles were formed on glass and polymer substrates. Spectrophotometry in the UV-vis-near-IR regions revealed that the substrates prevented heat loss well. The glass and polymer substrates achieved transmittance values of 80 % in the visible-light region, 50 % to 60 % in the IR region, and 90 % in the UV region.
A thin film optical waveguide sensor has been developed to measure and analyze quantitatively some inherent optical properties of biochemical substances. In this paper, two different kinds of thickness of thin film waveguide were prepared by RF sputtering of Corning-7059 glass(n = 1.588 at ${\lambda}=\;514nm$, Ar laser) on Pyrex glass substrates. We made a sensing membrane coated on the thin film waveguide with the poly(vinyl chloride-co-vinyl acetate-co-vinyl alcohol) (91 : 3 : 6) copolymer membrane based on $H^{+}$-selective chromoionophore and $K^{+}$-selective neutral ionophore and then proposed the thin film opptical waveguide ion sensor which can select a potassium ion. This sensor based ell the absorbance change by utilizing chromoionophore and neutral ionophore, which changes their absorption spectrum in the UV-vis region upon complexation of the corresponding ionic species, have been reported. The sensitivity dependence of the proposed sensor on interaction length, waveguide thickness, and content of a chromoionophore was investigated. This sensor has the measurement range of $10^{-6}M{\sim}1M$ for $K^{+}$ concentration and 90% response time of duration within 1 min. Also, our thin film optical waveguide sensor using the evanescent field was investigated as compared with conventional transmission sensor or optode sensor by the optical fiber. The sensitivity of thin-film waveguide $K^{+}$ sensor is higher than that of the conventional transmission sensor. The proposed sensor is expected to be useful to biochemical, medical, environmental inspection and so on.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.271-272
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2012
Bulk Metallic Glasses (BMGs or amorphous alloy) exhibit high strength and good corrosion resistance. Applications of thin films and micro parts of BMGs have been used a lot since its inception in the research of BMGs. However, Application and fabrication of BMGs are limited to make structural materials. Thin films of BMGs which is sputtered on the surface of structural materials by sputtering process is used to improve limits about application of BMGs. In order to investigate the difference of properties between designed alloys and thin films, we identified that thin films deposited on the surface that have the characteristic of the amorphous films and the composition of designed alloys. Zr-Cu (Cu=30, 35, 38, 40, 50 at.%) and Zr-Cu-Al (Al=10 at.% fixed, Cu=26, 30, 34, 38 at.%) alloys were fabricated with Zr (99.7% purity), Cu (99.997% purity), and Al (99.99% purity) as melting 5 times by arc melting method before rods 2mm in diameter was manufactured. In order to analyze GFA (Glass Forming Ability), rods were observed by Optical Microscopy and SEM and $T_g$, $T_x$, ($T_x$ is crystallization temperature and $T_g$ is the glass transition temperature) and Tm were measured by DTA and DSC. Powder was manufactured by Gas Atomizer and target was sintered using powder in large supercooled liquid region ($=T_x-T_g$) by SPS(Spark Plasma Sintering). Amorphous foil was prepared by RSP process with 5 gram alloy button. The composition of the foil and sputtered thin film was analyzed by EDS and EPMA. In the result of DSC curve, binary alloys ($Zr_{62}Cu_{38}$, $Zr_{60}Cu_{40}$, $Zr_{50}Cu_{50}$) and ternary alloys ($Zr_{64}Al_{10}Cu_{26}$, $Zr_{56}Al_{10}Cu_{34}$, $Zr_{52}Al_{10}Cu_{38}$) have $T_g$ except for $Zr_{70}Cu_{30}$ and $Zr_{60}Al_{10}Cu_{30}$. The compositions with $T_g$ made into powders. Figure shows XRD data of thin film showed similar hollow peak.
We have investigated the generation of pretilt angle for a nematic liquid crystal (NLC) alignment with rubbing alignment method on the two kinds of polyimide (PI) surfaces using thin plastic substrates. The NLC pretilt angles generated on thin plastic substrates are higher than that on the glass substrate. We study that AFM (atomic force microscope) image of rubbed PI surface with polymer film has formed the micro-groove. Also, EO characteristics of the TN-LCD with a rubbed PI surface based on polymer are almost the same as that of the TN-LCD with a rubbed PI surface based on glass.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.6
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pp.481-486
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2001
ZnO thin films on glass substrate were depostied by RF magnetron reactive sputter with various argon/oxygen gas ratios and substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, chemical compositions, and electrical properties of the films were investigated by XRD, SEM, XPS and electrometer(keithley 617). All films showed a strong preferred orientation along the c-axis on glass substrate, and the chemical stoichiometry was obtained at Ar/O$_2$.=50/50. The propagation velocity of ZnO SAW filter was about 2,590 m/sec and insertion loss was a minimum value of abut -21dB.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.66
no.8
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pp.1236-1241
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2017
We deposited Al-doped ZnO (ZnO:Al) thin films on glass substrates ($200mm{\times}200mm$) by using in-line magnetron sputtering system. Effects of various deposition parameters such as working pressure, deposition power and substrate temperature on optoelectronic characteristics including surface-texture etching profiles were carefully investigated in this study. We found that relatively low working pressure and high deposition power offered to obtain enhanced conductivity and optical transmittance. Haze properties showed similar trend with the transmittance. Furthermore, surface-texture etching study exhibited good morphologies when the films were deposited at $200-300^{\circ}C$. On the basis of these optimizations, we could find the deposition region that produces highly transparent and conductive properties including efficient light scattering capability.
Siloxane thin films were fabricated on a silicon wafer by spin-coating using a siloxane solution made by the sol-gel process. Fluorine was doped using$ CF_4$ plasma treatment. The film was then annealed in-situ state in the nitrogen atmosphere. In order to examine the influence of annealing and fluorine doping on the siloxane thin film, thermogravimetric-differential thermal analysis (TG-DTA), Fourier transform-infrared spectroscopy (FT-IR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used and the dielectric constant was determined by the high-frequency capacitance-voltage method. Stable siloxane films could be obtained by in-situ annealing in a nitrogen atmosphere after $CF_4$ plasma treatment, and the dielectric value of the film was $\varepsilon$ 2.5.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2001.04a
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pp.914-917
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2001
Single-shot laser damage of thin Cr films on glass substrates has been studied to understand the cracking and peeling-off mechanism. A numerical model is developed for the calculation of transient heat transfer and thermal stresses in Cr films during excimer laser irradiation and cooling, the transient temperature, and the stress-strain fields are analyzed by using a three-dimensional finite-element model of heat flow. According to the numerical analysis for the experimentally determined cracking and peeling-off conditions, cracking is found to be the result of the tensile brittle fracture due to the excessive thermal stresses formed during the cooling process, while peeling-off is found to be the combined result of films bulging from the softened glass surface at higher temperature and the tensile brittle fracture during the cooling process.
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