• 한국전자파학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.7-11
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• 2002

본 논문에서는 저지대역에서 하모닉과 불요특성을 효과적으로 제거하기 위한 목적으로 박막 혹은 후박 저항을 이용한 새로운 형태의 마이크로스트립 형태의 저역통과 필터를 제안한다. 제안한 필터는 기존의 마이크로스트림형태의 저역통과 필터에 비해 20dB 이상의 불요파 제거 효과를 보인다. 설계된 저역통과 필터는 Ku 대역 위성중계기용 국부발진기의 하모닉 제거 필터로 사용되어질 수 있다.

• 센서학회지
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• 제26권6호
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• pp.438-444
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• 2017

In this paper, we focus on optimization of the in-situ phosphorous (P) doping of low-pressure chemical vapor deposited (LPCVD) poly Si resistors for obtaining near-zero temperature coefficient of resistance (TCR) at temperature range from 25 to $600^{\circ}C$. The deposited poly Si films were annealed by rapid thermal anneal (RTA) process at the temperature range from 900 to $1000^{\circ}C$ for 90s in nitrogen ambient to relieve intrinsic stress and decrease the TCR in the poly Si layer and get the Ohmic contact. After the RTA process, a roughness of the thin film was slightly changed but the grain size and crystallinity of the thin film with the increase in anneal temperature. The film annealed at $1,000^{\circ}C$ showed the behavior of Schottky contact and had dislocations in the films. Ohmic contact and TCR of $334.4{\pm}8.2$ (ppm/K) within 4 inch wafer were obtained in the measuring temperature range of 25 to $600^{\circ}C$ for the optimized 200 nm thick-poly Si film with width/length of $20{\mu}m/1,800{\mu}m$. This shows the potential of in-situ P doped LPCVD poly Si as a resistor for pressure sensor in harsh environment applications.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제1권2호
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• pp.125-134
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• 1994

저항범위가 다른 두종류의 Ru계 후막저항계(1Kohm/sq. 100kohm/sq.)를 선택하여 도전상의 상전이 기구를 반응조건을 변화시켜 연구하였다. 저저항체의 경우 도전상으로는 RuO2였으며 700-100$0^{\circ}C$에서 1시간 반응한 경우 반응온도에 따른 구성상의 변화는 없었다 반응온도 90$0^{\circ}C$에서 반응시간이 경과함에 따라 도전상은 RuO2가 Glass의 구성성분인 Pb와 반응하여 Rb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5로 변하고 시간이 36시간 경과한 후에는 도전상이 Pb4Al2Si2O10인 결정으로 둘러 쌓이는 반응인 peritectic reaction이 일어났다. 고전항체의 경 우 도전상으로는 Pb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5로 변하고 시간이 36시간 경과한 후에는 더전상이 Pb4Al2Si2O10인 결정으로 둘러쌓이는 반응인 peritectic reaction 이 일어났다. 고저항체의 경 우 도전상으로는 Pb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5인 pyrochrole 상이였다. 100$0^{\circ}C$에서 1시간 반응시킬 경 우 도전상이 RuO2로 변하였다. 반응온도를 90$0^{\circ}C$로 하고 반응시간을 변화시키면 도전상인 Pb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5가 (Ru1.69Pb0.31)O4x로 변하면서 공존하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권4호
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• pp.315-324
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• 1990

저저항(DuPont 1721, 100.OMEGA./sq.)과 고저항(1741, 10K.OMEGA./sq.)의 두 Ru계 후막저항체를 여러 조건에서 소결하여 소결막의 복소임피던스 특성과 임피던스의 주파수의존성을 1KHz-13MHz의 주파수 범위에서 조사하였다. 저저항 1721계의 경우 600.deg.C이상에서 소결한 모든 시편이 거의 저항성분(R)만으로 구성된 등가회로에 해당되는 복소임피던스 거동을 보였으며 임피던스에 미치는 주파수 의존성은 크게 나타나지 않았는데 5KHz까지는 주파수에 따라 변화가 없다가 그 이상의 주파수에서 주파수 증가에 따라 약간씩 증가하였다. 고저항 1741 후막저항체의 경우는 소결조건에 따라 복소임피던스 거동과 임피던스에 미치는 주파수 의존성이 달리 나타났다. 600.deg.C에서는 용량(C) 성분만으로 구성된 등가회로에 해당하는 복소임피던스 거동을 얻었고 주파수 증가에 따라 임피던스가 직선적으로 감소하였으며 700.deg.C이상 900.deg.C까지는 저항(R)과 용량(C)이 병렬로 연결되는 형태의 등가회로에 해당하는 복소임피던스 거동을 얻었고 이때의 임피던스의 주파수 의존성은 저주파수 영역에서는 임피던스가 주파수에 변함없이 일정하다가 5KHz이상의 주파수에서는 주파수 증가에 따라 임피던스가 직선적으로 감소하였다. 1000.deg.C반응에서의 복소임피던스 거동은 RCL성분이 병렬로 연결된 형태의 등가회로에 해당되는 결과를 얻었으며 임피던스도 작아지고 주차수 의존성도 현저하지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.532-532
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• 2008

본 연구에서는 Embedded 기판용 폴리머 후막저항의 허용편차 개선을 위하여 새로운 후막 패터닝 기술을 도입하는 연구를 실시하였다. 기존의 Embedded 기판용 폴리머 후막저항은 스크린 인쇄에 의하여 형성됨에 따라 패턴의 정밀성이 떨어지고 기판 상 위치별 두께편차에 의하여 저항값의 허용편차(tolerance)가 ${\pm}$20~30% 정도로 큰 단점을 가지고 있다. 따라서 경화 후 laser trimming 공정을 필수적으로 동반하게 된다. 이를 개선하기 위하여 본 연구에서는 알칼리 수용액에 현상이 가능한 감광성 레진을 이용하여 폴리머 후막저항 페이스트를 제작하는 것과 함께 기판 전면에 균일한 두께로 인쇄하는 roll coating 방법을 도입하는 실험을 수행하였다. 알칼리 현상형의 감광성 레진 시스템은 노광 및 현상에 의해 정밀한 패턴을 구현할 수 있는 장점을 가지고 있으며, 본 연구에는 A사의 일액형 레진과 T사의 이액형 레진을 사용하였다. 여기에 전도성 필러로서 카본블랙을 첨가하였는데, 그 첨가량의 조절에 따른 후막저항의 시트저항값 변화와 현상 특성을 관찰하였다. 테스트 보드는 FR-4 기판 상에 전극 형상의 동박을 패터닝 후 Ni/Au 도금까지 실시하여 제작하였고, 이 테스트 보드 상에 별도로 제작된 저항 페이스트를 도포한 후 저항체 패턴이 입혀져 있는 Cr 마스크를 이용하여 노광하였다. 이후 현상 공정을 통하여 저항체를 패터닝하고, 이를 $200^{\circ}C$에서 1시간 열경화하는 것으로 후막 저항 테스트쿠폰을 제작하였다. 실험결과 roll coating에 의해 도포된 후막저항체들은 균일한 두께 범위를 나타내었고, 이에 따라 최종 경화 후 허용편차도 통상 ${\pm}$5~10% 이내로 제어될 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.45-45
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• 2007

Capacitors among the embedded passive components are most widely studied because they are the major components in terms of size and number and hard to embed compared with resistors and inductors due to the more complicated structure. To fabricate a capacitor-embedded PCB for in-line process, it is essential to adopt a low temperature process (<$200^{\circ}C$). However, high dielectric materials such as ferroelectrics show a low permittivity and a high dielectric loss when they are processed at low temperatures. To solve these contradicting problems, we studied BMN materials as a candidate for dielectric capacitors. processed at PCB-compatible temperatures. The morphologies of BMN thin films were investigated by AFM and SEM equipment. The electric properties (C-F, I-V) of Pt/BMN/Cu/polymer were evaluated using an impedance analysis (HP 4194A) and semiconductor parameter analyzer (HP4156A). $Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$(BMN) thin films deposited on copper clad laminate substrates by sputtering system as a function of Ar/$O_2$ flow rate at room temperature showed smooth surface morphologies having root mean square roughness of approximately 5.0 nm. 200-nm-thick films deposited at RT exhibit a dielectric constant of 40, a capacitance density of approximately $150\;nF/cm^2$, and breakdown voltage above 6 V. The crystallinity of the BMN thin films was studied by TEM and XRD. BMN thin film capacitors are expected to be promising candidates as embedded capacitors for printed circuit board (PCB).

• 한국재료학회지
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• 제11권7호
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• pp.562-568
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• 2001

60ZnO-20B$_2$O$_3$-10SiO$_2$-10PbO의 조성을 가진 결정성 봉착용 유리분말과 ZrB$_2$분말을 출발물질로 사용하여 Na분위기 하에서 소결한 복합소결체를 저항체 후막으로써 사용가능성을 검토하였다. 도전성입자 ZrB$_2$는 소결중 매우 민감한 산화특성을 나타내었으며, 이것은 로내 또는 시편내에 잔류된 미량의 산소 및 유리성분 중 B$_2$O$_3$의 반응에 의한 배위수 변화과정에서 유리되는 산소가 원인으로 될 수 있다는 것을 시편의 밀도 및 부피변화 등을 통해 확인되었다. 각 혼합물의 소결온도와 혼합비 변화에 따라 내부조직의 변화와 함께 10~$10^{5}{\Omega}/cm^2$정도의 제어 가능한 저항값을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로부터 유리기지 중에서 ZrB$_2$입자들의 치밀화 경향을 갖는 복합소성시편들에 대한 거시적인 관점에서 도전성경로형성 및 도전기구를 설명하였다.