Aerosol deposition(AD) coating that enable fabricate films at low temperature have begun to be widely researched for the integration of ceramics as well to realize high-speed deposition rates. For application of ceramic thick film by AD to display and electronic ceramic industry, fabrication of dense structure with a no cracking is required. In this study, to fabricate dense ceramic thick film, the effect of crystal phase of starting powder was investigated. For this study, amorphous and crystalline $SiO_2$ powders were used as starting powders. Two types of $SiO_2$ powders were deposited on glass substrate by AD. In the case of amorphous $SiO_2$ powder, the deposited films had extremely incompact and opaque layer, irrespective of particle size. In contrast to amorphous powder, in the case of crystalline powder, porous structure layer and dense microstructure with no cracking layer were fabricated depending on the particle size. The optimized starting powder size for dense coating layer was $1{\sim}2{\mu}m$. The transmittance of film reached a maximum of 76% at 800 nm.
It is recognized that reinforcement corrosion is the main distress behind the present concern regarding concrete durability. In this study, to confirm corrosion of reinforced concrete affected by thickness of cover, kinds of surface coating, measured electric potential, ratio of corrosion area, weight reduction, corrosion velocity of steel bar under environment of complex deterioration. The results showed that an increase in age also increases corrosion of steel bar. Ratio of corrosion area is largely related to ratio of weight reduction. as well, corrosion of steel bar by thickness of cover is superior to l0mm thick than 20mm thick. It showed that an increase in thickness of cover prevent steel bar from deteriorating. The results of this study showed that corrosion velocity was affected by thickness of cover, kinds of surface coating. data on the development of corrosion velocity made with none, organic B, organic A, inorganic B, and inorganic A is shown.
For the application to optic devices, wafer level package including spacer with particular thickness according to optical design could be required. In these cases, the uniformity of spacer thickness is important for bonding strength and optical performance. Packaging process has to be performed at low temperature in order to prevent damage to devices fabricated before packaging. And if photosensitive material is used as spacer layer, size and shape of pattern and thickness of spacer can be easily controlled. This paper presents polymer bonding using thick, uniform and patterned spacing layer of SU-8 2100 photoresist for wafer level package. SU-8, negative photoresist, can be coated uniformly by spin coater and it is cured at $95^{\circ}C$ and bonded well near the temperature. It can be bonded to silicon well, patterned with high aspect ratio and easy to form thick layer due to its high viscosity. It is also mechanically strong, chemically resistive and thermally stable. But adhesion of SU-8 to glass is poor, and in the case of forming thick layer, SU-8 layer leans from the perpendicular due to imbalance to gravity. To solve leaning problem, the wafer rotating system was introduced. Imbalance to gravity of thick layer was cancelled out through rotating wafer during curing time. And depositing additional layer of gold onto glass could improve adhesion strength of SU-8 to glass. Conclusively, we established the coating condition for forming patterned SU-8 layer with $400{\mu}m$ of thickness and 3.25 % of uniformity through single coating. Also we improved tensile strength from hundreds kPa to maximum 9.43 MPa through depositing gold layer onto glass substrate.
In this paper, we investigated the characterization of silicon oxide(SiOx) thin film on Ethylene Terephthalate(PET) substrates by e-beam deposition for transparent barrier application. The temperature of chamber increases from $30^{\circ}C$ to $110^{\circ}C$, the roughness increase while the Water vapor transmission rate (WVTR) decreases. Under these conditions, the WVTR for PET can be reduced from a level of $0.57 g/m^2/day$ (bare subtrate) to $0.05 g/m^2/day$ after application of a 200-nm-thick $SiO_2$ coating at 110 C. A more efficient way to improve permeation of PET was carried out by using a double side coating of a 5-${\mu}m$-thick parylene film. It was found that the WVTR can be reduced to a level of $-0.2 g/m^2/day$. The double side parylene coating on PET could contribute to the lower stress of oxide film, which greatly improves the WVTR data. These results indicates that the $SiO_2$ /Parylene/PET barrier coatings have high potential for flexible organic light-emitting diode(OLED) applications.
The oxide scales formed on Ni-18W(at.%) coating that was electrodeposited on steel were investigated using XRD, SEM and TEM. The oxide scales consisted mainly of an outer NiO layer, and an inner thick ($NiWO_4$+NiO) mixed layer. The unoxidized coating below the oxide scale was rich in Ni and depleted in W, owing to the consumption of Wand the resultant Ni enrichment. The oxidation resistance of Ni-18W coating was poorer than that of the TiN coating, due to the formation of nonprotective NiWO$_4$. During oxidation, Ni and the substrate element of Fe diffused outward, while oxygen inward, according to the concentration gradients.
Friction surfacing of STS304 consumable rod on S45C substrate was investigated by microstructural observation and mechanical tests. STS304 layer formed a strongly-bonded thick layer under a wide range of surfacing conditions. The hardness distribution showed the peak value in the boundry layer, while the highest coating efficiency obtained in the condition of 1000rpm-2.5mm/sec-2.5mm/sec. As the consumable rotation rate and the traveling rate increased, the coating efficiency tended to decrease. On the other hand, as the feeding rate increased, the coating efficiency appeared to be increased.
Thick PZT films are required for the cases of micro actuators and sensors with high driving force, high breakdown voltage and high sensitivity, and so on. In this work, thick PZT films were fabricated by Sol-Gel multi-coating method. Total 8 types of samples using thick PZT films with thicknesses, about $1{\mu}m$ and $2{\mu}m$, and Pt top electrodes shapes for measuring transverse piezoelectric coefficient ($e_{31,f}$) were fabricated using MEMS processes. They were characterized by fabricated e31,f measurement system before and after poling. $e_{31,f}$ values of samples after poling were higher than before poling. Those of $2{\mu}m$ thick PZT films were also higher than $1{\mu}m$ thick PZT films. And those with long electrodes as top electrodes were also higher than shorter.
This paper describes the fabrication process to fabricate metallic structure of high aspect ratio using LlGA-like process. SU-8 is used as an electroplating mold. SU-8 is an epoxy-based photoresist, designed for ultrathick PR structure with single layer coating [1,2]. We can get more than $100{\mu}m$ thick layer by single coating with conventional spin coater, and applying multiple coating can make thicker layers. In the experiments, we used different kinds of SU-8, having different viscosity. To optimize the conditions for mold fabrication process, experiments are performed varying spinning time and speed, soft-bake, develop and PEB (Post Expose Bake) condition. With the optimized condition, minimum line and space of $3{\mu}m$ pattern with a thickness of $40{\mu}m$ and $4{\mu}m$ pattern with a thickness of $130{\mu}m$ were obtained. Using the patterned PR as a plating mold, metallic structure was fabricated by electroplating. We have fabricated a electroplated nickel comb actuator using SU-8 as plating mold. The thickness of PR mold is $45{\mu}m$ and that of plated nickel is$40{\mu}m$. Minimum line of the mold is $5{\mu}m$. Patterned metallic layer or polymer layer, which has selectivity with the structural plated metallic layer, can be used as sacrificial layer for fabrication of free-standing structure.
In recent, the concept of system-on-package (SOP) for highly integrated multifunctional systems has been paid attention to for the miniaturization and high frequency of electronic devices. In order to realize SOP, co-integration of passive devices, such as capacitors, resistors and inductors, and active devices should be achieved. If ceramic thick films can be grown at room temperature, we expect to be able to overcome many problems in conventional fabrication processes. So, we focused on the aerosol deposition method (ADM) as room temperature fabrication technology. ADM is a novel ceramic coating method based on the Room Temperature Impact Consolidation (RTIC) phenomena. This method has a wide range potential for fabrication of co-integration of passive and active devices. In this paper, I will present the future potential of ADM introducing various ceramic dielectric thick films for the integration of electronic ceramics.
In this experiment, A1$_2$O$_3$ thick films were prepared by electrophoretic method using A1$_2$O$_3$ fine Powder of which composition were FA-5-500 and FA-5-900. The growth behavior of A1$_2$O$_3$ thick films were characterized as preparation conditions, such as applied voltage, deposition time and adding conditions. As a result, A1$_2$O$_3$ thick films were successfully fabricated by electrophoretic method on molybdnum plate in which etanol and distilled used were used as a solvent. Deposition conditions for good uniformity of the A1$_2$O$_3$ thick films were applied voltage of 60volts, deposition time of 2 seconds, heat treatment at 1$700^{\circ}C$ for 5 minutes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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